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1. (WO2013157057) VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD ASSOCIATED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/157057 International Application No.: PCT/JP2012/004466
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 11.07.2012
Chapter 2 Demand Filed: 12.10.2013
IPC:
C23C 16/30 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C30B 25/02 (2006.01) ,C30B 29/40 (2006.01)
Applicants: MIZUTA, Masashi[JP/JP]; JP (UsOnly)
FURUKAWA CO., LTD.[JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008370, JP (AllExceptUS)
Inventors: MIZUTA, Masashi; JP
Agent: HAYAMI, Shinji; Gotanda TG Bldg. 9F, 9-2, Nishi-Gotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
Priority Data:
2012-09467718.04.2012JP
Title (EN) VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD ASSOCIATED
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT D'UN FILM
Abstract: front page image
(EN) A vapor deposition apparatus (1) includes a deposition chamber (4) for carrying out a deposition of a film on a substrate, source gas tubes (21) and (31) for supplying a source gas, a transfer unit (5) for transferring the substrate in the interior of the deposition chamber (4) so that the substrate is alternately situated in a state where the substrate is located in a deposition region that faces the gas discharge port for supplying the source gas and in a state where the substrate is located in other region except the deposition region, while the source gas is supplied from a gas discharge port of any one of the source gas tubes (21) and (31), and a supply tube (7) for supplying a gas containing group-V element to the substrate S located in the other region.
(FR) L'invention concerne un appareil de dépôt en phase vapeur (1) comportant une chambre de dépôt (4) destinée à mettre en œuvre le dépôt d'un film sur un substrat, des tubes de gaz source (21) et (31) destinés à amener un gaz source, une unité de transfert (5) destinée à transférer le substrat à l'intérieur de la chambre de dépôt (4), de sorte que le substrat est situé en alternance dans un état dans lequel le substrat est situé dans une zone de dépôt qui est tournée vers l'orifice d'évacuation de gaz conçu pour amener le gaz source, et dans un état dans lequel le substrat est situé dans une zone autre que la zone de dépôt, tandis que le gaz source est amené par un orifice d'évacuation de gaz d'un quelconque des tubes de gaz source (21) et (31), et un tube d'amenée (7) destiné à amener un élément du groupe V contenant du gaz au substrat (S) situé dans l'autre zone.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)