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1. (WO2013156811) A PROTECTION CIRCUIT AND A GATE DRIVING CIRCUITRY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/156811    International Application No.:    PCT/IB2012/001611
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 19.04.2012
IPC:
H03K 17/08 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, Texas 78735 (US) (For All Designated States Except US).
GAO, Yuan [CN/FR]; (FR) (For US Only).
BESSE, Patrice [FR/FR]; (FR) (For US Only).
LAPLAGNE, Thierry [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: GAO, Yuan; (FR).
BESSE, Patrice; (FR).
LAPLAGNE, Thierry; (FR)
Priority Data:
Title (EN) A PROTECTION CIRCUIT AND A GATE DRIVING CIRCUITRY
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION ET ENSEMBLE CIRCUIT D'ATTAQUE DE GRILLE
Abstract: front page image
(EN)A protection circuit 220 and a gate driving circuitry 200. The protection circuit 220 is for protecting a p-type back-to-back MOS switch 250. The circuit 220 receives an input driving signal and provides a driving output signal to common gates of the p-type back-to-back MOS switch 250. The circuit comprises a driving signal insulation switch 230 for disconnecting the common gate of the p-type back-to-back MOS switch 250 from the received input driving signal when the voltage of the common gates is larger than the supply voltage of the circuit 220. The circuit 220 further comprises a gate source coupling switch 240 for coupling a voltage received at the common source of the p-type back-to-back MOS switch 250 to the common gate if a received voltage at the common sources is larger than a reference voltage Vref.
(FR)La présente invention concerne un circuit de protection (220) et un ensemble circuit d'attaque de grille (200). Le circuit de protection (220) est destiné à protéger un commutateur (250) MOS dos à dos du type p. Le circuit (220) reçoit un signal d'attaque d'entrée et fournit un signal de sortie d'attaque à des grilles communes du commutateur (250) MOS dos à dos du type p. Le circuit comprend un commutateur d'isolation de signal d'attaque (230) permettant de déconnecter la grille commune du commutateur (250) MOS dos à dos du type p du signal d'attaque d'entrée reçu lorsque la tension des grilles communes est supérieure à la tension d'alimentation du circuit (220). Le circuit (220) comprend en outre un commutateur de couplage de source de grille (240) permettant de coupler une tension reçue au niveau de la source commune du commutateur (250) MOS dos à dos du type p à la grille commune si une tension reçue au niveau des sources communes est supérieure à une tension de référence Vref.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)