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1. (WO2013156335) OPTICAL SYSTEM, IN PARTICULAR OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/156335    International Application No.:    PCT/EP2013/057329
Publication Date: 24.10.2013 International Filing Date: 08.04.2013
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G02B 5/30 (2006.01), G02B 27/28 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
SÄNGER, Ingo [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventors: SÄNGER, Ingo; (DE)
Agent: FRANK, Hartmut; Bonsmann · Bonsmann · Frank Patentanwälte Reichspräsidentenstrasse 21-25 45470 Mülheim a.d. Ruhr (DE)
Priority Data:
10 2012 206 287.4 17.04.2012 DE
61/625,171 17.04.2012 US
Title (EN) OPTICAL SYSTEM, IN PARTICULAR OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
(FR) SYSTÈME OPTIQUE, EN PARTICULIER D'UN APPAREIL D'EXPOSITION PAR PROJECTION MICROLITHOGRAPHIQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to an optical system, in particular of a microlithographic projection exposure apparatus, with an optical system axis (OA) and a polarization-influencing optical arrangement (100, 400, 500). According to one aspect, the polarization-influencing optical arrangement (100, 400, 500) comprises at least one polarization-influencing optical element (101, 401-404, 501-504), which has a monolithic design and linear birefringence, wherein the overall absolute value of the birefringence of all of the polarization-influencing optical elements (101, 401-404, 501-504) deviates by at most ±15% from the value lambda/2, wherein lambda is the working wavelength of the optical system, wherein the direction of the fast axis of this birefringence varies in a plane perpendicular to the optical system axis (OA) in the at least one polarization- influencing optical element (101, 401-404, 501-504), and wherein the distribution of the fast axis of the birefringence of the polarization-influencing optical element is brought about by radiation-induced defects, which are situated in at least one optically unused region (101b, 301b, 301c) of the element.
(FR)L'invention se rapporte à un système optique, en particulier d'un appareil d'exposition par projection microlithographique, ledit système optique comprenant un axe de système optique (OA) et un agencement optique influençant la polarisation (100, 400, 500). Selon un aspect, l'agencement optique influençant la polarisation (100, 400, 500) comprend au moins un élément optique influençant la polarisation (101, 401 à 404, 501 à 504) qui présente une conception monolithique et une biréfringence linéaire, la valeur absolue totale de la biréfringence de tous les éléments optiques influençant la polarisation (101, 401 à 404, 501 à 504) s'écartant au maximum de ± 15 % par rapport à la valeur de lambda/2, lambda étant la longueur d'onde de travail du système optique, la direction de l'axe rapide de cette biréfringence variant dans un plan perpendiculaire à l'axe de système optique (OA) dans le ou les éléments optiques influençant la polarisation (101, 401 à 404, 501 à 504), et la distribution de l'axe rapide de la biréfringence de l'élément optique influençant la polarisation étant provoquée par des défauts induits par le rayonnement, qui sont situés dans au moins une région optiquement non utilisée (101b, 301b, 301c) de l'élément.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)