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1. (WO2013155108) N-POLAR III-NITRIDE TRANSISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/155108    International Application No.:    PCT/US2013/035837
Publication Date: 17.10.2013 International Filing Date: 09.04.2013
IPC:
H01L 29/778 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01)
Applicants: TRANSPHORM INC. [US/US]; 115 Castillian Drive Goleta, California 93117 (US)
Inventors: MISHRA, Umesh; (US).
CHOWDHURY, Srabanti; (US).
NEWFELD, Carl Joseph; (US)
Agent: BOROVOY, Roger S.; Fish & Richardson P.C. P. O. Box 1022 Minneapolis, Minnesota 55440-1022 (US)
Priority Data:
61/621,956 09.04.2012 US
Title (EN) N-POLAR III-NITRIDE TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS AU NITRURE-III N-POLAIRES
Abstract: front page image
(EN)An N-polar III-N transistor includes a III-N buffer layer, a first III-N barrier layer, and a III-N channel layer, the III-N channel layer having a gate region and a plurality of access regions on opposite sides of the gate region. The compositional difference between the first III-N barrier layer and the III-N channel layer causes a conductive channel to be induced in the access regions of the III-N channel layer. The transistor also includes a source, a gate, a drain, and a second III-N barrier layer between the gate and the III-N channel layer. The second III-N barrier layer has an N-face proximal to the gate and a group-III face opposite the N-face, and has a larger bandgap than the III-N channel layer. The lattice constant of the first III-N barrier layer is within 0.5% of the lattice constant of the buffer layer.
(FR)L'invention concerne un transistor au N-III N-polaire comprenant une couche tampon au N-III, une première couche barrière au N-III, et une couche de canal au N-III, la couche de canal au N-III ayant une région de grille et une pluralité de régions d'accès sur des côtés opposés de la région de grille. La différence de composition entre la première couche barrière au N-III et la couche de canal au N-III amène un canal conducteur à être créé dans les régions d'accès de la couche de canal au N-III. Le transistor comprend également une source, une grille, un drain, et une seconde couche barrière au N-III entre la grille et la couche de canal au N-III. La seconde couche barrière au N-III a une face -N à proximité de la grille et une face du groupe -III opposée à la face -N, et a une plus grande bande interdite que la bande de canal au N-III. La constante de réseau de la première couche barrière au N-III se situe dans les 0,5 % de la constante de réseau de la couche tampon.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)