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1. (WO2013155004) ADVANCED DEBRIS MITIGATION OF EUV LIGHT SOURCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/155004    International Application No.:    PCT/US2013/035651
Publication Date: 17.10.2013 International Filing Date: 08.04.2013
IPC:
H01J 37/32 (2006.01), H01J 3/40 (2006.01), H01J 1/52 (2006.01)
Applicants: KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, CA 95035 (US)
Inventors: UMSTADTER, Karl; (US)
Agent: MCANDREWS, Kevin; KLA-Tencor Corporation Legal Department One Technology Drive Milpitas, CA 95035 (US)
Priority Data:
61/621,711 09.04.2012 US
61/793,948 15.03.2013 US
13/856,328 03.04.2013 US
Title (EN) ADVANCED DEBRIS MITIGATION OF EUV LIGHT SOURCE
(FR) ATTÉNUATION AVANCÉE DE DÉBRIS D'UNE SOURCE DE LUMIÈRE DANS L'UV EXTRÊME
Abstract: front page image
(EN)Systems and methods for debris mitigation in an EUV light source for semiconductor processes are disclosed. Pulsed DC electric fields are applied to the path of EUV light to reject ions from the EUV path. The pulsed DC fields are triggered to coincide with the presence of debris in the EUV optical path. It is emphasized that this abstract is provided to comply with the rules requiring an abstract that will allow a searcher or other reader to quickly ascertain the subject matter of the technical disclosure. It is submitted with the understanding that it will not be used to interpret or limit the scope or meaning of the claims.
(FR)La présente invention concerne des systèmes et des procédés pour l'atténuation de débris dans une source de lumière dans l'ultraviolet extrême (EUV) pour des procédés semi-conducteurs. Des champs électriques de courant continu pulsés sont appliqués au trajet de la lumière EUV pour rejeter des ions provenant du trajet EUV. Les champs de courant continu pulsés sont déclenchés pour coïncider avec la présence de débris dans le trajet optique EUV. On insiste sur le fait que cet abrégé est conforme à la réglementation demandant un abrégé permettant qu'un chercheur ou un lecteur vérifie rapidement l'objet de la description technique. Il est soumis tout en sachant qu'il ne sera pas utilisé pour interpréter ou limiter la portée ou le sens des revendications.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)