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1. (WO2013154796) STATIC DEPOSITION PROFILE MODULATION FOR LINEAR PLASMA SOURCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/154796    International Application No.:    PCT/US2013/033093
Publication Date: 17.10.2013 International Filing Date: 20.03.2013
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/50 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
VELLAIKAL, Manoj [US/US]; (US) (US only).
COX, Michael S. [US/US]; (US) (US only).
MUNGEKAR, Hemant P. [IN/US]; (US) (US only).
WANG, Chikuang C. [US/US]; (US) (US only).
ZHANG, Lin [US/US]; (US) (US only).
PONNEKANTI, Hari K. [US/US]; (US) (US only).
STEWART, Michael P. [US/US]; (US) (US only).
HAMMOND, Edward P., IV [US/US]; (US) (US only).
POLYAK, Alexander S. [US/US]; (US) (US only)
Inventors: VELLAIKAL, Manoj; (US).
COX, Michael S.; (US).
MUNGEKAR, Hemant P.; (US).
WANG, Chikuang C.; (US).
ZHANG, Lin; (US).
PONNEKANTI, Hari K.; (US).
STEWART, Michael P.; (US).
HAMMOND, Edward P., IV; (US).
POLYAK, Alexander S.; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, TX 77046 (US)
Priority Data:
13/447,035 13.04.2012 US
Title (EN) STATIC DEPOSITION PROFILE MODULATION FOR LINEAR PLASMA SOURCE
(FR) MODULATION DE PROFIL DE DÉPÔT STATIQUE POUR SOURCE DE PLASMA LINÉAIRE
Abstract: front page image
(EN)Methods and apparatus for controlling film deposition using a linear plasma source are described herein. The apparatus include a showerhead having openings therein for flowing a gas therethrough, a conveyor to support one or more substrates thereon disposed adjacent to the showerhead, and a power source for ionizing the gas. The ionized gas can be a source gas used to deposit a material on the substrate. The deposition profile of the material on the substrate can be adjusted, for example, using a gas-shaping device included in the apparatus. Additionally or alternatively, the deposition profile may be adjusted by using an actuatable showerhead. The method includes exposing a substrate to an ionized gas to deposit a film on the substrate, wherein the ionized gas is influenced with a gas-shaping device to uniformly deposit the film on the substrate as the substrate is conveyed proximate to the showerhead.
(FR)Cette invention concerne des procédés et appareils de contrôle du dépôt de couches au moyen d'une source de plasma linéaire. Les appareils selon l'invention comprennent une tête d'arrosoir présentant des ouvertures pour l'écoulement d'un gaz, un transporteur supportant un ou plusieurs substrats, disposé de manière adjacente à la tête d'arrosoir, et une source d'alimentation pour ioniser le gaz. Le gaz ionisé peut être un gaz source utilisé pour déposer un matériau sur le substrat. Le profil de dépôt du matériau sur le substrat peut être adapté, par exemple au moyen d'un dispositif de mise en forme de gaz compris dans l'appareil. De plus ou en variante, le profil de dépôt peut être adapté au moyen d'une tête d'arrosoir actionnable. Le procédé selon l'invention comprend l'étape consistant à exposer un substrat à un gaz ionisé pour déposer une couche sur le substrat, ledit gaz ionisé étant influencé par un dispositif de mise en forme de gaz de façon à obtenir un dépôt uniforme de la couche sur le substrat à mesure que le substrat est transporté à proximité de la tête d'arrosoir.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)