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1. (WO2013154715) LIGHT EMITTING DEVICES HAVING SHIELDED SILICON SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/154715    International Application No.:    PCT/US2013/030281
Publication Date: 17.10.2013 International Filing Date: 11.03.2013
IPC:
H01L 33/50 (2010.01), H05B 33/10 (2006.01)
Applicants: TOSHIBA TECHNO CENTER, INC. [JP/JP]; 1-1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP)
Inventors: LESTER, Steven, D.; (US).
YANG, Long; (US).
LIN, Chao-Kun; (US)
Priority Data:
61/622,710 11.04.2012 US
61/661,982 20.06.2012 US
Title (EN) LIGHT EMITTING DEVICES HAVING SHIELDED SILICON SUBSTRATES
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS À SUBSTRATS DE SILICIUM BLINDÉ
Abstract: front page image
(EN)Light emitting devices comprise a light emitting component, such as a GaN LED having active material layers supported by a Silicon substrate, which can be a growth substrate, or attached. Phosphor(s) can be disposed relative to the light emitting component to absorb a primary emission, and produce a secondary emission that can be relatively tuned or selected so that their combination produces light of a desired spectrum, such as light appearing white. The Silicon substrate has exposed sidewalls, which can be angled, with respect to planar surfaces of the substrate, and a light reflecting material, such as a diffusely reflective material coats the sidewalls. The reflective material can be opaque to the primary and secondary emissions. If other exposed portions of the Silicon substrate exist and are exposed to primary or secondary light, these other exposed portions can be coated with such light reflecting material.
(FR)L'invention concerne des dispositifs électroluminescents comprenant un composant électroluminescent, tel qu'une DEL au GaN ayant des couches de matériau actif supportées par un substrat en silicium, qui peut être un substrat de croissance, ou attachées. Un ou des luminophores peuvent être disposés par rapport au composant électroluminescent pour absorber une émission primaire, et produire une émission secondaire qui peut être relativement ajustée ou sélectionnée de telle sorte que leur combinaison produit de la lumière d'un spectre désiré, telle que de la lumière apparaissant blanche. Le substrat de silicium a des parois latérales exposées, qui peuvent être inclinées par rapport aux surfaces planes du substrat, et un matériau réfléchissant la lumière tel qu'un matériau réfléchissant par diffusion qui recouvre les parois latérales. Le matériau réfléchissant peut être opaque aux émissions primaire et secondaire. Si d'autres parties exposées du substrat de silicium existent et sont exposées à de la lumière primaire ou secondaire, ces autres parties exposées peuvent être revêtues avec un tel matériau réfléchissant la lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)