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1. (WO2013154150) LIGHT EXTRACTION BODY FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/154150    International Application No.:    PCT/JP2013/060906
Publication Date: 17.10.2013 International Filing Date: 11.04.2013
IPC:
H01L 51/52 (2006.01), G02B 5/18 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 1-105, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018101 (JP)
Inventors: YAMAGUCHI, Fujito; (JP).
KOIKE, Jun; (JP).
TAKAGIWA, Aya; (JP)
Agent: AOKI, Hiroyoshi; 5F, JS Ichigaya Bldg., 5-1, Goban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020076 (JP)
Priority Data:
2012-092266 13.04.2012 JP
2012-144616 27.06.2012 JP
2012-227296 12.10.2012 JP
2012-227297 12.10.2012 JP
2012-227298 12.10.2012 JP
Title (EN) LIGHT EXTRACTION BODY FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) CORPS D'EXTRACTION DE LUMIÈRE POUR ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 半導体発光素子用光抽出体及び発光素子
Abstract: front page image
(EN)A light extraction body (1) for a semiconductor light-emitting element is provided with: a concavo-convex structure layer (11) which has a concavo-convex structure (11a) provided to a surface thereof, and which has a first refractive index (n1); and first light extraction layers (12a) provided on the convex portions of the concavo-convex structure (11a). With regard to the first light extraction layers (12a), the distance (Lcv) between the average position (Sh) of convex-portion apexes and the average position (Scv) of the boundary surfaces of the first light extraction layers (12a) on the convex portions satisfies formula (1) 10nm ≤ Lcv ≤ 5000nm. In the concavo-convex structure (11a): the average height (H) of the convex portions satisfies formula (2) 10nm ≤ H ≤ 5000nm; the average pitch (P) satisfies formula (3) 50nm ≤ P ≤ 5000nm; and the aforementioned distance (Lcv) and the average height (H) of the convex portions satisfy formula (4) 50nm ≤ Lcv+H ≤ 6000nm. As a result, light-extraction efficiency from a semiconductor light-emitting element using the light extraction body (1) can be improved, and long-term reliability of the semiconductor light-emitting element can also be improved.
(FR)Cette invention concerne un corps d'extraction de lumière (1) un élément électroluminescent à semi-conducteur, comprenant : une couche de structure concave/convexe (11) présentant une structure concave/convexe (11a) sur une surface de celle-ci et dotée d'un premier indice de réfraction (n1) ; et une première couche d'extraction de lumière (12a) disposée au-dessus des parties convexes de la structure concave/convexe (11a). En ce qui concerne la première couche d'extraction de lumière (12a), la distance (Lcv) entre la position moyenne (Sh) des sommets des parties convexes et la position moyenne (Scv) des interfaces de la première couche d'extraction de lumière (12a) au-dessus des parties renfoncées, satisfait la relation suivante (1) 10 nm ≤ Lcv ≤ 5 000 nm. Dans la structure concave/convexe (11a) : la hauteur moyenne (H) des parties convexes satisfait la relation (2) 10 nm ≤ H ≤ 5 000 nm ; le pas moyen (P) satisfait la relation (3) 50 nm ≤ P ≤ 5 000 nm ; et ladite distance (Lcv) et la hauteur moyenne (H) des parties convexes satisfont la relation (4) 50 nm ≤ Lcv+H ≤ 6 000 nm. L'invention permet ainsi d'améliorer l'efficacité d'extraction de lumière à partir d'un élément électroluminescent à semi-conducteur au moyen du corps d'extraction de lumière (1), et d'améliorer la fiabilité à long terme de l'élément électroluminescent à semi-conducteur.
(JA) 半導体発光素子用光抽出体(1)は、表面に凹凸構造(11a)が設けられ第1の屈折率(n1)を有する凹凸構造層(11)と凹凸構造(11a)の凸部上に設けられた第1の光抽出層(12a)とを具備し、第1の光抽出層(12a)は、凸部頂部平均位置Shと第1の光抽出層(12a)の凸部上界面平均位置Scvとの間の距離Lcvが式(1)10nm≦Lcv≦5000nmを満たし、凹凸構造(11a)は、凸部平均高さHが式(2)10nm≦H≦5000nmを満たすと共に、平均ピッチPが式(3)50nm≦P≦5000nmを満たし、且つ距離Lcv、及び凸部平均高さHが式(4)50nm≦Lcv+H≦6000nmを満たす。光抽出体(1)を用いた半導体発光素子からの光取り出し効率を改善でき、しかも、半導体発光素子の長期信頼性を向上できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)