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1. (WO2013153024) PHOTOVOLTAIC NANOCOMPOSITE COMPRISING SOLUTION PROCESSED INORGANIC BULK NANO-HETEROJUNCTIONS, SOLAR CELL AND PHOTODIODE DEVICES COMPRISING THE NANOCOMPOSITE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/153024    International Application No.:    PCT/EP2013/057292
Publication Date: 17.10.2013 International Filing Date: 08.04.2013
IPC:
H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01)
Applicants: FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES [ES/ES]; Parque Mediterràneo de la Tecnologia, Av. Carl Friedrich Gauss, 3 E-08860 Castelldefels (barcelona) (ES)
Inventors: KONSTANTATOS, Gerasimos; (ES).
RATH, Arup Kumar; (ES).
MARTINEZ MONTBLANCH, Luis; (ES).
BERNECHEA NAVARRO, Maria; (ES)
Agent: CARPINTERO LOPEZ, Francisco; C/ Alcala, 35 E-28014 Madrid (ES)
Priority Data:
13/442,080 09.04.2012 US
Title (EN) PHOTOVOLTAIC NANOCOMPOSITE COMPRISING SOLUTION PROCESSED INORGANIC BULK NANO-HETEROJUNCTIONS, SOLAR CELL AND PHOTODIODE DEVICES COMPRISING THE NANOCOMPOSITE
(FR) NANOCOMPOSITE PHOTOVOLTAÏQUE QUI COMPREND DES NANO-HÉTÉROJONCTIONS EN VOLUME INORGANIQUES TRAITÉES DANS UNE SOLUTION, CELLULE SOLAIRE ET DISPOSITIFS DE PHOTODIODE COMPRENANT LE NANOCOMPOSITE
Abstract: front page image
(EN)Photovoltaic nanocomposite and solar cell device comprising the photovoltaic nanocomposite, where the photovoltaic nanocomposite comprises the a film of solution processed semiconductor materials comprising a n-type material (1) selected from n-type quantum dots and n-type nanocrystals, and a p-type material (2) selected from p-type quantum dots and p-type nanocrystals, and wherein the n-type material (1) has a conduction band level at least equal, compared to vacuum level, to that of the p-type material (2), the p-type material (2) has a valence band at the most equal, compared to vacuum level, to that of the n-type material (1). at least a portion of the n-type material (1) and at least a portion of the p-type material (2) are present in a bulk nano-heterojunction binary nanocomposite layer (3) comprising a blend of the n-type material and the p-type material.
(FR)La présente invention se rapporte à un nanocomposite photovoltaïque et à un dispositif de cellule solaire qui comprend le nanocomposite photovoltaïque, le nanocomposite photovoltaïque comprenant un film de matériaux semi-conducteurs traités dans une solution qui comprennent un matériau de type n (1) sélectionné parmi les points quantiques de type n et les nanocristaux de type n, ainsi qu'un matériau de type p (2) sélectionné parmi les points quantiques de type p et les nanocristaux de type p, le matériau de type n (1) ayant un niveau de bande de conduction au moins égal, par comparaison avec un niveau de vide, à celui du matériau de type p (2), le matériau de type p (2) ayant une bande de valence au maximum égale, par comparaison avec un niveau de vide, à celle du matériau de type n (1). Au moins une partie du matériau de type n (1) et au moins une partie du matériau de type p (2) sont présentes dans une couche de nanocomposite binaire de nano-hétérojonctions en volume (3) qui comprend un mélange du matériau de type n et du matériau de type p.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)