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1. (WO2013152516) DEFECT DETECTION SYSTEM FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY MASK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/152516 International Application No.: PCT/CN2012/074095
Publication Date: 17.10.2013 International Filing Date: 16.04.2012
IPC:
G01N 21/88 (2006.01) ,G03F 1/00 (2012.01) ,G02B 27/44 (2006.01)
Applicants: LI, Hailiang[CN/CN]; CN (UsOnly)
XIE, Changqing[CN/CN]; CN (UsOnly)
LIU, Ming[CN/CN]; CN (UsOnly)
LI, Dongmei[CN/CN]; CN (UsOnly)
NIU, Jiebin[CN/CN]; CN (UsOnly)
SHI, Lina[CN/CN]; CN (UsOnly)
ZHU, Xiaoli[CN/CN]; CN (UsOnly)
THE INSTITUTE OF MICROELECTRONICS OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES[CN/CN]; No.3, Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029, CN (AllExceptUS)
Inventors: LI, Hailiang; CN
XIE, Changqing; CN
LIU, Ming; CN
LI, Dongmei; CN
NIU, Jiebin; CN
SHI, Lina; CN
ZHU, Xiaoli; CN
Agent: BEIJING DEQUAN LAWFIRM; Suite 1008, Kuntai International Mansion, B 12 Chaowai Avenue, Chaoyang District Beijing 100020, CN
Priority Data:
201210104156.510.04.2012CN
Title (EN) DEFECT DETECTION SYSTEM FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY MASK
(FR) SYSTÈME DE DÉTECTION DE DÉFAUT POUR MASQUE DE LITHOGRAPHIE EN ULTRAVIOLET EXTRÊME
(ZH) 极紫外光刻掩模缺陷检测系统
Abstract: front page image
(EN) A defect detection system for an extreme ultraviolet lithography mask comprises an extreme ultraviolet light source (1), extreme ultraviolet light transmission parts (2, 3), an extreme ultraviolet lithography mask (4), a photon sieve (6), an acquisition (7) and analysis (8) system. Point light source beams emitted by the extreme ultraviolet light source (1) are focused on the extreme ultraviolet lithography mask (4) through the extreme ultraviolet light transmission parts (2, 3). The extreme ultraviolet lithography mask (4) emits scattered light and illuminates the photon sieve (6). The photon sieve (6) forms a dark field image and transmits same to the acquisition (7) and analysis (8) system. The defect detection system for an extreme ultraviolet photolithographic mask uses a photon sieve to replace a Schwarzschild lens, thereby achieving a lower cost, a smaller volume and high resolution.
(FR) La présente invention porte sur un système de détection de défaut pour masque de lithographie en ultraviolet extrême, qui comprend une source de lumière en ultraviolet extrême (1), des parties d'émission de lumière en ultraviolet extrême (2, 3), un masque de lithographie en ultraviolet extrême (4), un tamis à photons (6), un système d'acquisition (7) et d'analyse (8). Des faisceaux de source de lumière ponctuelle émis par la source de lumière en ultraviolet extrême (1) sont focalisés sur le masque de lithographie en ultraviolet extrême (4) à travers les parties d'émission de lumière en ultraviolet extrême (2, 3). Le masque de lithographie en ultraviolet extrême (4) émet une lumière diffusée et éclaire le tamis à photons (6). Le tamis à photons (6) forme une image en son sombre et émet celle-ci au système d'acquisition (7) et d'analyse (8). Le système de détection de défaut pour masque photolithographique en ultraviolet extrême utilise un tamis à photons pour remplacer une lentille Schwarzschild, atteignant ainsi un coût inférieur, un volume plus petit et une résolution élevée.
(ZH) 一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统,包括极紫外光源(1)、极紫外光传输部分(2,3)、极紫外光刻掩模(4)、光子筛(6)、采集(7)及分析(8)系统。极紫外光源(1)发出的点光源光束经过极紫外光传输部分(2,3)聚焦到极紫外光刻掩模(4)上;极紫外光刻掩模(4)发出散射光并照明光子筛(6);光子筛(6)形成暗场像并传送到采集(7)及分析(8)系统。该极紫外光刻掩模缺陷检测系统利用光子筛代替了史瓦西透镜,实现成本较低、体积较小并且分辨率强。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)