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1. (WO2013148723) SOLID ELECTROLYTE MEMORY ELEMENTS WITH ELECTRODE INTERFACE FOR IMPROVED PERFORMANCE
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Pub. No.: WO/2013/148723 International Application No.: PCT/US2013/033934
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 26.03.2013
IPC:
H01L 47/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
47
Bulk negative resistance effect devices, e.g. Gunn-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants:
GOPALAN, Chakravarthy [IN/US]; US
LEE, Wei Ti [US/US]; US
MA, Yi [US/US]; US
SHIELDS, Jeffrey, Allan [US/US]; US
ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; 1250 Borregas Ave Sunnyvale, CA 94089, US
Inventors:
GOPALAN, Chakravarthy; US
LEE, Wei Ti; US
MA, Yi; US
SHIELDS, Jeffrey, Allan; US
Agent:
SAKO, Bradley; P.O. Box 2008 Livermore, CA 94551-2008, US
Priority Data:
13/850,26725.03.2013US
61/615,83726.03.2012US
Title (EN) SOLID ELECTROLYTE MEMORY ELEMENTS WITH ELECTRODE INTERFACE FOR IMPROVED PERFORMANCE
(FR) ÉLÉMENTS MÉMOIRES À ÉLECTROLYTE SOLIDE PRÉSENTANT UNE INTERFACE D'ÉLECTRODE POUR DES PERFORMANCES AMÉLIORÉES
Abstract:
(EN) A memory element can include a first electrode; a second electrode; and a memory material programmable between different resistance states, the memory material disposed between the first electrode and the second electrode and comprising a solid electrolyte with at least one modifier element formed therein; wherein the first electrode is an anode electrode that includes an anode element that is ion conductible in the solid electrolyte, the anode element being different than the modifier element.
(FR) La présente invention concerne un élément mémoire qui peut comprendre une première électrode ; une seconde électrode ; et un matériau de mémoire programmable entre différents états de résistance, le matériau de mémoire étant disposé entre la première électrode et la seconde électrode et comprenant un électrolyte solide dans lequel au moins un élément modificateur est formé ; la première électrode étant une électrode d'anode qui comprend un élément anode qui présente une conductibilité d'ions dans l'électrolyte solide, l'élément anode étant différent de l'élément modificateur.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)