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1. (WO2013148469) PROCESS KIT WITH PLASMA-LIMITING GAP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/148469 International Application No.: PCT/US2013/033337
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 21.03.2013
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventors: RITCHIE, Alan; US
YOUNG, Donny; US
Agent: LINARDAKIS, Leonard P.; Moser Taboada 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, New Jersey 07702, US
Priority Data:
13/435,95630.03.2012US
Title (EN) PROCESS KIT WITH PLASMA-LIMITING GAP
(FR) KIT DE TRAITEMENT À ESPACE LIMITEUR DE PLASMA
Abstract: front page image
(EN) Apparatus for processing substrates are provided herein. In some embodiments, an apparatus includes a process kit comprising a shield having one or more sidewalls configured to surround a first volume, the first volume disposed within an inner volume of a process chamber; and a first ring moveable between a first position, wherein the first ring rests on the shield, and a second position, wherein a gap is formed between an outer surface of the first ring and an inner surface of the one or more sidewalls, wherein a width of the gap is less than about two plasma sheath widths for a plasma formed at a frequency of about 40 MHz or higher and at a pressure of about 140 mTorr or lower.
(FR) L'invention porte sur un appareil pour le traitement de substrats. Dans certains modes de réalisation, l'appareil comprend un kit de traitement comprenant un écran ayant une ou plusieurs parois latérales conçues pour entourer un premier volume, le premier volume étant disposé à l'intérieur d'un volume interne d'une chambre de traitement ; et un premier anneau mobile entre une première position, dans laquelle le premier anneau repose sur l'écran, et une seconde position, dans laquelle un espace est formé entre une surface externe du premier anneau et une surface interne de ladite ou desdites parois latérales, la largeur de l'espace étant inférieure à environ deux largeurs de gaine de plasma pour un plasma formé à une fréquence supérieure ou égale à environ 40 MHz et à une pression inférieure ou égale à environ 140 mTorr.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)