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1. (WO2013147936) SELECTED WORD LINE DEPENDENT SELECT GATE DIFFUSION REGION VOLTAGE DURING PROGRAMNMING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/147936    International Application No.:    PCT/US2012/066610
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 27.11.2012
IPC:
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, TX 75024 (US) (For All Designated States Except US).
LAI, Chun-Hung [--/JP]; (US) (US only).
SATO, Shinji [JP/JP]; (US) (US only).
LEE, Shih-Chung [JP/JP]; (US) (US only).
HEMINK, Gerrit Jan [NL/JP]; (US) (US only)
Inventors: LAI, Chun-Hung; (US).
SATO, Shinji; (US).
LEE, Shih-Chung; (US).
HEMINK, Gerrit Jan; (US)
Agent: MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP 575 Market Street, Suite 2500 San Francisco, CA 94105 (US)
Priority Data:
13/430,494 26.03.2012 US
Title (EN) SELECTED WORD LINE DEPENDENT SELECT GATE DIFFUSION REGION VOLTAGE DURING PROGRAMNMING
(FR) TENSION DE ZONE DE DIFFUSION DE GRILLE DE SÉLECTION DÉPENDANT D'UNE LIGNE DE MOTS SÉLECTIONNÉE EN COURS DE PROGRAMMATION
Abstract: front page image
(EN)Methods and devices for operating non-volatile storage are disclosed. One or more programming conditions depend on the location of the word line that is selected for programming. Applying a selected word line dependent program condition may reduce or eliminate program disturb. The voltage applied to a common source line may depend on the location of the word line that is selected for programming. This may prevent or reduce punch-through conduction, which may prevent or reduce program disturb. The voltage applied to bit lines of unselected NAND strings may depend on the location of the word line that is selected for programming. This may prevent or reduce punch-through conduction.
(FR)L'invention concerne des procédés et des dispositifs permettant d'utiliser une mémoire non volatile. Une ou plusieurs conditions de programmation dépendent de l'emplacement de la ligne de mots qui est sélectionnée pour la programmation. L'application d'une condition de programme dépendant d'une ligne de mots sélectionnée permet de réduire ou d'éliminer une perturbation du programme. La tension appliquée à une ligne source commune peut dépendre de l'emplacement de la ligne de mots qui est sélectionnée pour la programmation. Cela permet d'empêcher ou de réduire la conduction de perçage, ce qui permet d'empêcher ou de réduire une perturbation du programme. La tension appliquée à des lignes de bits de chaînes NON-ET non sélectionnées peut dépendre de l'emplacement de la ligne de mots qui est sélectionnée pour la programmation. Cela permet d'empêcher ou de réduire la conduction de perçage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)