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1. (WO2013147740) HYBRID LASER INCLUDING ANTI-RESONANT WAVEGUIDES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/147740    International Application No.:    PCT/US2012/030601
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 26.03.2012
IPC:
H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 (US) (For All Designated States Except US).
PARK, Hyundai [KR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: PARK, Hyundai; (US)
Agent: SAGALEWICZ, Angela M.; Schwabe, Williamson & Wyatt, P.C. Pacwest Center 1211 SW 5th Avenue, Suite 1500-2000 Portland, OR 97204 (US)
Priority Data:
Title (EN) HYBRID LASER INCLUDING ANTI-RESONANT WAVEGUIDES
(FR) LASER HYBRIDE COMPRENANT DES GUIDES D'ONDES ANTI-RÉSONANTS
Abstract: front page image
(EN)Described are embodiments of apparatuses and systems including a hybrid laser including anti-resonant waveguides, and methods for making such apparatuses and systems. A hybrid laser apparatus may include a first semiconductor region including an active region of one or more layers of semiconductor materials from group III, group IV, or group V semiconductor, and a second semiconductor region coupled with the first semiconductor region and having an optical waveguide, a first trench disposed on a first side of the optical waveguide, and a second trench disposed on a second side, opposite the first side, of the optical waveguide. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR)L'invention concerne, dans ses modes de réalisation, des appareils et des systèmes comportant un laser hybride comprenant des guides d'ondes anti-résonants, et des procédés de fabrication de tels appareils et systèmes. Un appareil laser hybride peut comporter une première région semi-conductrice comprenant une région active d'une ou plusieurs couches de matériaux semi-conducteurs du semi-conducteur des groupes III, IV ou V, et une seconde région semi-conductrice couplée avec la première région semi-conductrice et ayant un guide d'onde optique, une première tranchée disposée sur un premier côté du guide d'onde optique, et une seconde tranchée disposée sur un second côté, opposé au premier côté, du guide d'onde optique. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)