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1. (WO2013147290) METAL NITRIDE FILM FOR THERMISTOR, PROCESS FOR PRODUCING SAME, AND THERMISTOR SENSOR OF FILM TYPE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/147290 International Application No.: PCT/JP2013/059796
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 25.03.2013
IPC:
H01C 7/04 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION[JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP
Inventors: TANAKA, Hiroshi; JP
FUJITA, Toshiaki; JP
NAGATOMO, Noriaki; JP
FUJIWARA, Kazutaka; JP
INABA, Hitoshi; JP
Agent: TAKAOKA, Ryoichi; Takaoka IP Law Office, Ikebukuro Tosei Building, 5th Floor, 5-4-7, Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1710021, JP
Priority Data:
2012-08110730.03.2012JP
Title (EN) METAL NITRIDE FILM FOR THERMISTOR, PROCESS FOR PRODUCING SAME, AND THERMISTOR SENSOR OF FILM TYPE
(FR) FILM DE NITRURE MÉTALLIQUE POUR THERMISTOR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET CAPTEUR THERMISTOR DE TYPE FILM
(JA) サーミスタ用金属窒化物膜及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
Abstract: front page image
(EN) Provided are a metal nitride film for thermistors which is capable of being directly formed on a film or the like without through burning and which has excellent flexing resistance, a process for producing the metal nitride film, and a thermistor sensor of a film type. The metal nitride film is for use as a thermistor and comprises a metal nitride represented by the general formula TixAlyNz (0.70≤y/(x+y)≤0.95, 0.4≤z≤0.5, and x+y+z=1). The metal nitride has a crystal structure constituted of a hexagonal wurtzite structure as the only phase. In X-ray analysis, the peak ratio of the intensity of the diffraction peak assigned to a-axis orientation (100) to the intensity of the diffraction peak assigned to c-axis orientation (002) [(diffraction peak intensity for a-axis orientation (100))/(diffraction peak intensity for c-axis orientation (002))] is 0.1 or less.
(FR) L'invention concerne un film de nitrure métallique pour thermistors qui est apte à être directement formé sur un film ou analogue sans passer par une carbonisation et qui présente une excellente résistance à la flexion, un processus de fabrication du film de nitrure métallique, et un capteur thermistor de type film. Le film de nitrure métallique est destiné à être utilisé en tant que thermistor et comprend un nitrure métallique représenté par la formule générale TixAlyNz (0,70 ≤ y/(x + y) ≤ 0,95, 0,4 ≤ z ≤ 0,5, et x + y + z = 1). Le nitrure métallique a une structure cristalline constituée d'une structure de wurtzite hexagonale comme phase unique. En analyse par rayons X, le rapport maximal de l'intensité du pic de diffraction attribué à une orientation selon l'axe a (100) sur l'intensité du pic de diffraction attribué à une orientation selon l'axe c (002) [(intensité de pic de diffraction pour orientation selon l'axe a (100))/(intensité de pic de diffraction pour orientation selon l'axe c (002))] est de 0,1 ou moins.
(JA) フィルム等に非焼成で直接成膜することできると共に、耐屈曲性にも優れたサーミスタ用金属窒化物膜及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサを提供する。サーミスタに用いられる金属窒化物膜であって、一般式:TiAl(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であり、X線回折においてc軸配向(002)の回折ピーク強度に対するa軸配向(100)の回折ピーク強度のピーク比(a軸配向(100)の回折ピーク強度/c軸配向(002)の回折ピーク強度)が、0.1以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)