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1. (WO2013147121) POWER MODULE SUBSTRATE WITH HEAT SINK, AND METHOD FOR PRODUCING POWER MODULE SUBSTRATE WITH HEAT SINK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/147121 International Application No.: PCT/JP2013/059464
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 29.03.2013
IPC:
H01L 23/36 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION[JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP
Inventors: NAGATOMO Yoshiyuki; JP
ISHIZUKA Hiroya; JP
NAGASE Toshiyuki; JP
KUROMITSU Yoshirou; JP
EDO Masakazu; JP
MIYAKE Hideyuki; JP
Agent: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
Priority Data:
2012-08324730.03.2012JP
Title (EN) POWER MODULE SUBSTRATE WITH HEAT SINK, AND METHOD FOR PRODUCING POWER MODULE SUBSTRATE WITH HEAT SINK
(FR) SUBSTRAT DE MODULE DE PUISSANCE MUNI DE DISSIPATEUR THERMIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MODULE DE PUISSANCE MUNI DE DISSIPATEUR THERMIQUE
(JA) ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN) This power module substrate with a heat sink is provided with a power module substrate having a circuit layer disposed on one surface of an insulating layer, and a heat sink joined to the other surface of the power module substrate. The joining surface of the heat sink and the joining surface of the power module substrate are each composed of aluminum or an aluminum alloy. A joining layer (50), obtained by dispersing a magnesium-containing compound (52) (excluding magnesium oxide) containing magnesium in an aluminum-silicon eutectic structure, is formed on the joining surfaces of the heat sink and the power module substrate, and the thickness (t) of the joining layer (50) is set within a range of 5 μm to 80 μm.
(FR) L'invention concerne un substrat de module de puissance muni d'un dissipateur thermique comprenant un substrat de module de puissance ayant une couche de circuit disposée sur une surface d'une couche isolante, et un dissipateur thermique joint sur l'autre surface du substrat de module de puissance. La surface de jonction du dissipateur thermique et la surface de jonction du substrat de module de puissance sont chacune composées d'aluminium ou d'un alliage d'aluminium. Une couche de jonction (50), obtenue par dispersion d'un composé contenant du magnésium (52) (excepté de l'oxyde de magnésium) dans une structure eutectique aluminium-silicium, est formée sur les surfaces de jonction du dissipateur thermique et du substrat de module de puissance, et l'épaisseur (t) de la couche de jonction (50) est établie dans une plage de 5 μm à 80 μm.
(JA)  このパワーモジュール用基板は、絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面が、それぞれアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面には、Al-Si共晶組織にMgを含むMg含有化合物(52)(MgOを除く)が分散した接合層(50)が形成されており、接合層(50)の厚さtが5μm以上80μm以下の範囲内とされている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)