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1. (WO2013146974) PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE FILM TYPE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE FILM TYPE ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/146974 International Application No.: PCT/JP2013/059176
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 28.03.2013
IPC:
H01L 41/187 (2006.01) ,B41J 2/045 (2006.01) ,B41J 2/055 (2006.01) ,B41J 2/16 (2006.01) ,C04B 35/491 (2006.01) ,H01L 41/09 (2006.01) ,H01L 41/29 (2013.01) ,H01L 41/314 (2013.01) ,H01L 41/43 (2013.01)
Applicants: NGK INSULATORS, LTD.[JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
Inventors: KOIZUMI Takaaki; JP
HIBINO Tomohiko; JP
EBIGASE Takashi; JP
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001, JP
Priority Data:
2012-07946730.03.2012JP
Title (EN) PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE FILM TYPE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE FILM TYPE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE TYPE DE FILM PIÉZOÉLECTRIQUE/ÉLECTRORESTRICTIF, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT DE TYPE DE FILM PIÉZOÉLECTRIQUE/ÉLECTRORESTRICTIF
(JA) 圧電/電歪膜型素子及び圧電/電歪膜型素子を製造する方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a piezoelectric/electrostrictive film type element in which the film thickness of the piezoelectric/electrostrictive film is thin, the piezoelectric/electrostrictive film is dense, and the piezoelectric/electrostrictive film has good durability and insulation properties. The piezoelectric/electrostrictive film type element comprises a substrate, a lower electrode film, the piezoelectric/electrostrictive film, and an upper electrode film. The substrate and the lower electrode film are fixed. The film thickness of the piezoelectric/electrostrictive film is no more than 5 µm. The piezoelectric/electrostrictive film comprises a piezoelectric/electrostrictive ceramic. The piezoelectric/electrostrictive ceramic includes lead zirconate titanate and a bismuth compound. The bismuth/lead ratio in the peripheral section inside the crystal grains and relatively close to the crystal grain boundary is greater than the bismuth/lead ratio in the center section of the crystal grains which is relatively far from the crystal grain boundary.
(FR) La présente invention concerne un élément de type de film piézoélectrique/électrorestrictif, dans lequel l'épaisseur de film du film piézoélectrique/électrorestrictif est mince, le film piézoélectrique/électrorestrictif est dense, et le film piézoélectrique/électrorestrictif présente de bonnes propriétés de durabilité et d'isolation. L'élément de type de film piézoélectrique/électrorestrictif comprend un substrat, un film d'électrode inférieur, le film piézoélectrique/électrorestrictif, et un film d'électrode supérieur. Le substrat et le film d'électrode inférieur sont fixés. L'épaisseur de film du film piézoélectrique/électrorestrictif ne fait pas plus de 5 µm. Le film piézoélectrique/électrorestrictif comprend une céramique piézoélectrique/électrorestrictive. La céramique piézoélectrique/électrorestrictive comprend du titanate et zirconate de plomb et un composé de bismuth. Le rapport bismuth/plomb dans la section périphérique à l'intérieur des grains de cristal et qui est relativement proche de la limite de grain de cristal est supérieur au rapport bismuth/plomb dans la section centrale des grains de cristal qui est relativement éloignée de la limite de grain de cristal.
(JA)  圧電/電歪体膜の膜厚が薄く、圧電/電歪体膜が緻密であり、圧電/電歪体膜の耐久性及び絶縁性が良好である圧電/電歪膜型素子を提供する。圧電/電歪膜型素子は、基板、下部電極膜、圧電/電歪体膜及び上部電極膜を備える。基板及び下部電極膜は、固着される。圧電/電歪体膜の膜厚は、5μm以下である。圧電/電歪体膜は、圧電/電歪セラミックスからなる。圧電/電歪セラミックスは、チタン酸ジルコン酸鉛及びビスマス化合物を含む。粒界に相対的に近い粒内周辺部のビスマス/鉛比が粒界から相対的に遠い粒内中心部のビスマス/鉛比より大きい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)