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1. (WO2013146973) SOLAR CELL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/146973    International Application No.:    PCT/JP2013/059174
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 28.03.2013
IPC:
H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/0216 (2006.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventors: MIYAMOTO Kouji; (JP).
AONO Shigeo; (JP).
HONJO Tomofumi; (JP).
MIYAZAKI Shiro; (JP).
TANAKA Masahiro; (JP).
NIIRA Koichiro; (JP).
KUROBE Kenichi; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
2012-078930 30.03.2012 JP
Title (EN) SOLAR CELL ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池素子
Abstract: front page image
(EN)This solar cell element, which is increased in the conversion efficiency due to improved effect of passivation, is provided with: a semiconductor substrate wherein a p-type first semiconductor region and an n-type second semiconductor region are laminated so that the first semiconductor region is positioned closest to a first main surface and the second semiconductor region is positioned closest to a second main surface; and a first passivation film that contains aluminum and is arranged on the first main surface side of the first semiconductor region. In this solar cell element, the inner part of the first passivation film has a first ratio, which is a value obtained by dividing the atomic density of aluminum by the atomic density of oxygen, of 0.613 or more but less than 0.667 and a second ratio, which is a value obtained by dividing the sum of the atomic density of aluminum and the atomic density of hydrogen by the atomic density of oxygen, of 0.667 or more but less than 0.786.
(FR)La présente invention concerne un élément de cellule solaire, dont le rendement de conversion est accru du fait d'un effet de passivation amélioré, et qui comprend : un substrat semi-conducteur, comportant une première région semi-conductrice de type p et une seconde région semi-conductrice de type n stratifiées de façon à ce que la première région semi-conductrice soit positionnée plus près d'une première surface principale et que la seconde région semi-conductrice soit positionnée plus près d'une seconde surface principale ; et un premier film de passivation, qui contient de l'aluminium, et qui est agencé du côté de la première surface principale de la première région semi-conductrice. Dans cet élément de cellule solaire, la partie interne du premier film de passivation présente un premier rapport, qui une valeur obtenue en divisant la densité atomique de l'aluminium par la densité atomique de l'oxygène, supérieur ou égal à 0,613, mais inférieur ou égal à 0,667, et un second rapport, qui est une valeur obtenue en divisant la somme de la densité atomique de l'aluminium et de la densité atomique de l'hydrogène par la densité atomique de l'oxygène, supérieur ou égal à 0,667, mais inférieur ou égal à 0,786.
(JA) パッシベーションの効果の向上によって変換効率が高められた太陽電池素子は、p型の第1半導体領域およびn型の第2半導体領域が、第1半導体領域が最も第1主面側に位置するとともに第2半導体領域が最も第2主面側に位置するように積み重ねられている半導体基板と、第1半導体領域の第1主面側に配された、アルミニウムを含む第1パッシベーション膜とを備えている。そして、該太陽電池素子では、第1パッシベーション膜の内部において、アルミニウムの原子密度を酸素の原子密度で除した第1比率が、0.613以上で且つ0.667未満であるとともに、アルミニウムの原子密度と水素の原子密度との和を酸素の原子密度で除した第2比率が、0.667以上で且つ0.786未満である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)