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1. (WO2013146750) CONDUCTING PATTERN FORMING SUBSTRATE FABRICATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/146750    International Application No.:    PCT/JP2013/058715
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 26.03.2013
IPC:
H01B 13/00 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01)
Applicants: ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501 (JP)
Inventors: WATABE, Koya; (JP)
Agent: NOZAKI, Teruo; Oak Ikebukuro Building 3F, 1-21-11 Higashi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Priority Data:
2012-079292 30.03.2012 JP
Title (EN) CONDUCTING PATTERN FORMING SUBSTRATE FABRICATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT À FORMATION DE MOTIF CONDUCTEUR
(JA) 導電パターン形成基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] An objective of the present invention is to provide a conducting pattern forming substrate fabrication method with which a step of peeling photoresist which is immersed in a resist peeling fluid is removed, and a transparent electrode pattern is protected by a protection film. [Solution] A conducting pattern forming substrate fabrication method comprises: a conducting film forming step of forming an organic transparent conducting film (20) upon a substrate (10); an insulation film forming step of forming a transparent insulation film pattern (30) upon at least a portion of the organic transparent conducting film (20); and an inactivation step of, by bringing an exposed region of the organic conducting film (20) whereon the transparent insulation film pattern (30) is not formed into contact with an oxidant and making said region non-conductive, making the portion of the organic transparent conductive film (20) whereon the transparent insulation film pattern (30) is formed into a conductive pattern (transparent electrode pattern (22)).
(FR)Un objectif de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication de substrat à formation de motif conducteur grâce auquel une étape de retrait de résine photorésistante qui est immergée dans un fluide de retrait de résine photorésistante est supprimée, et un motif d'électrode transparente est protégé par un film de protection. A cet effet, la présente invention concerne un procédé de fabrication de substrat à formation de motif conducteur qui comprend : une étape de formation de film conducteur pour la formation d'un film conducteur transparent organique (20) sur un substrat (10) ; une étape de formation de film isolant pour la formation d'un motif de film isolant transparent (30) sur au moins une partie du film de conducteur transparent organique (20) ; et une étape de désactivation, en amenant une région exposée du film conducteur organique (20), sur lequel le motif de film d'isolation transparent (30) n'est pas formé, en contact avec un oxydant et en rendant ladite région non conductrice, pour rendre la partie du film conducteur transparent organique (20) sur lequel le motif de film d'isolation transparent (30) est formé en un motif conducteur (motif d'électrode transparente (22)).
(JA)【課題】レジスト剥離液に浸漬するフォトレジスト剥離工程を削減して、透明電極パターンが保護膜によって保護された導電パターン形成基板の製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】基材10に有機透明導電膜20を形成する導電膜形成工程と、有機透明導電膜20上の少なくとも一部に透明絶縁膜パターン30を形成する絶縁膜形成工程と、透明絶縁膜パターン30が形成されていない有機導電膜20の露出している領域を酸化剤に接触させて非導電化することにより、透明絶縁膜パターン30が形成された有機透明導電膜20の一部を導電パターン(透明電極パターン22)とする不活性化工程と、を有することを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)