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1. (WO2013146646) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/146646 International Application No.: PCT/JP2013/058516
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 25.03.2013
IPC:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01)
Applicants: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 2-6-1, Ote-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 1008150, JP
Inventors: BESSHO, Kazunori; JP
Agent: OHI, Masahiko; Nankodo 2nd Building, 43-13, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
Priority Data:
2012-07888930.03.2012JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE LASER À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体レーザ装置
Abstract: front page image
(EN) The objective of the present invention is to provide a semiconductor laser device equipped with a sub mount unit that can improve semiconductor laser device properties, the unit having a diamond sub mount structure in which the high thermal conductivity of diamond is maintained and a linear thermal expansion rate is adjusted. The sub mount unit of this semiconductor laser device comprises a first sub mount material the linear thermal expansion rate of which is different from that of the semiconductor element and a second sub mount material the linear thermal expansion rate of which is greater than that of the semiconductor element and the first sub mount material. A first sub mount material portion made out of the first sub mount material and a second sub mount material portion made out of the second sub mount material are disposed so as to alternate with one another in the longitudinal direction of the semiconductor element. The first sub mount material is coupled to the semiconductor element via a coupling material, and the sum of the total length of the first sub mount material and the second sub mount material is equal to the length of the semiconductor element in the longitudinal direction either at room temperature or at the coupling temperature of the coupling material.
(FR) L'invention a pour objectif de fournir un dispositif de laser à semi-conducteurs qui tout en permettant de réaliser une amélioration des spécificités de ce dispositif de laser à semi-conducteurs, et tout en assurant une conductivité thermique élevée telle qu'en possède un diamant, est équipé d'une partie embase possédant une structure embase de diamant de coefficient de dilatation thermique linéaire ajusté. Dans ce dispositif de laser à semi-conducteurs, la partie embase est disposée de sorte qu'une première portion de matériau embase et une seconde portion de matériau embase constituées d'un premier matériau embase de coefficient de dilatation thermique linéaire différent de celui d'un élément semi-conducteur, et d'un second matériau embase de coefficient de dilatation thermique linéaire supérieur à ceux de l'élément semi-conducteur et du premier matériau embase, sont positionnées en alternance dans la direction longitudinale de l'élément semi-conducteur, respectivement à l'aide du premier matériau d'embase et du second matériau d'embase. Le premier matériau embase est lié à l'élément semi-conducteur par l'intermédiaire d'un matériau de liaison, et la somme des longueurs totales du premier et du second matériau d'embase, à température ambiante ou à température de liaison avec le matériau de liaison, constitue une relation égale avec la longueur de l'élément semi-conducteur dans sa direction longitudinale.
(JA)  本発明は、半導体レーザ装置の特性向上を図ることができ、ダイヤモンドの有する高い熱伝導率を確保すると共に、線熱膨張率を調整したダイヤモンドサブマウント構造を有するサブマウント部を備えた半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 本発明の半導体レーザ装置は、サブマウント部が、半導体素子と線熱膨張率の異なる第1のサブマウント材と、半導体素子および第1のサブマウント材より線熱膨張率が大きい第2のサブマウント材とから成り、第1のサブマウント材による第1のサブマウント材部分と、第2のサブマウント材による第2のサブマウント材部分とが、半導体素子の長手方向に交互に位置するように配置され、第1のサブマウント材が半導体素子と接合材を介して接合されており、室温でも、接合材との接合温度でも、第1のサブマウント材の全長と第2のサブマウント材との全長の和が、半導体素子の長手方向の長さと等しい関係にあるものである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)