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1. (WO2013146538) PERIODIC PATTERN FORMING METHOD AND DEVICE EMPLOYING SELF-ASSEMBLED BLOCK COPOLYMER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/146538    International Application No.:    PCT/JP2013/058100
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 21.03.2013
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), B82Y 30/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: NISHIMURA, Eiichi; (JP).
YAMASHITA, Fumiko; (JP).
NIITSUMA, Satoko; (JP)
Agent: ITOH, Tadashige; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2012-074540 28.03.2012 JP
61/620,513 05.04.2012 US
Title (EN) PERIODIC PATTERN FORMING METHOD AND DEVICE EMPLOYING SELF-ASSEMBLED BLOCK COPOLYMER
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF PÉRIODIQUE ET DISPOSITIF EMPLOYANT UN COPOLYMÈRE À BLOCS AUTO-ASSEMBLÉ
(JA) 自己組織化可能なブロック・コポリマーを用いて周期パターン形成する方法及び装置
Abstract: front page image
(EN)A periodic pattern forming method in which a first polymer and a second polymer of a block copolymer self-assemble and a periodic pattern is formed in a guide layer (210) comprises: a first etching step of etching, with a plasma which is generated from a first gas, the second polymer; a first film forming step of, after the first etching step, forming, on the surface of the first polymer other than the second polymer etching portion and the guide layer, with a plasma which is generated from a second gas, a first protection film (270); and a second etching step of, after the first film forming step, further etching the second polymer with the plasma which is generated from the first gas.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motif périodique dans lequel un premier polymère et un second polymère d'un copolymère à blocs s'auto-assemblent et un motif périodique est formé dans une couche de guidage (210), qui comprend : une première étape d'attaque consistant à attaquer, par un plasma qui est généré à partir d'un premier gaz, le second polymère ; une première étape de formation de film, après la première étape d'attaque, consistant à former, sur la surface du premier polymère autre que la partie d'attaque du second polymère et la couche de guidage, par un plasma qui est généré à partir d'un second gaz, un premier film de protection (270) ; une seconde étape d'attaque, après la première étape de formation de film, consistant à attaquer encore le second polymère par le plasma qui est généré à partir du premier gaz.
(JA) ブロック・コポリマーの第1のポリマー及び第2のポリマーを自己組織化し、ガイド層210内に形成された周期パターン形成する方法は、第1のガスから生成されたプラズマにより前記第2のポリマーをエッチングする第1のエッチング工程と、前記第1のエッチング工程後、第2のガスから生成されたプラズマにより前記第2のポリマーのエッチング部分以外の前記第1のポリマー及び前記ガイド層の表面に第1の保護膜270を成膜する第1の成膜工程と、前記第1の成膜工程後、前記第1のガスから生成されたプラズマにより前記第2のポリマーを更にエッチングする第2のエッチング工程と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)