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1. (WO2013146488) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE PROVIDED WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, METHOD FOR MANUFACTURING REFLECTIVE MASK BLANK, AND METHOD FOR MANUFACTURING REFLECTIVE MASK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/146488 International Application No.: PCT/JP2013/057950
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 21.03.2013
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 1/24 (2012.01)
Applicants: HOYA CORPORATION[JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1618525, JP
Inventors: SHOKI, Tsutomu; JP
HAMAMOTO, Kazuhiro; JP
Agent: TSUKUNI & ASSOCIATES; KASUMIGASEKI TOKYU Bldg., 3-7-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
Priority Data:
2012-07322028.03.2012JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE PROVIDED WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, METHOD FOR MANUFACTURING REFLECTIVE MASK BLANK, AND METHOD FOR MANUFACTURING REFLECTIVE MASK
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT COMPRENANT UN FILM MULTICOUCHE À RÉFLEXION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT
(JA) 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
Abstract: front page image
(EN) Disclosed is a method for manufacturing a substrate that is provided with a multilayer reflection film, said substrate having the multilayer reflection film formed on the main surface thereof. This method for manufacturing a substrate that is provided with a multilayer reflection film for EUV lithography has: a multilayer reflection film forming step wherein the multilayer reflection film is formed on the main surface of the substrate such that a film thickness reducing region is formed at the circumferential end portion of the main surface, said film thickness reducing region having the film thickness thereof reduced toward the outer side of the substrate from the inner side thereof; and a reference mark forming step wherein a reference mark to be defect position reference in the defect information of the substrate surface that is provided with the multilayer reflection film is formed in the film thickness reducing region by removing at least a part of the multilayer reflection film.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat qui comprend un film multicouche à réflexion, ledit substrat ayant le film multicouche à réflexion formé sur la surface principale de celui-ci. Ce procédé de fabrication d'un substrat qui comprend un film multicouche à réflexion pour la lithographie EUV possède : une étape de formation de film multicouche à réflexion dans laquelle le film multicouche à réflexion est formé sur la surface principale du substrat de telle sorte qu'une région de réduction d'épaisseur de film est formée à la partie d'extrémité circonférentielle de la surface principale, ladite région de réduction d'épaisseur de film ayant l'épaisseur de film de celle-ci réduite vers le côté extérieur du substrat à partir du côté intérieur de celui-ci; et une étape de formation de marque de référence dans laquelle une marque de référence, devant être une référence de position de défaut dans les informations de défaut de la surface de substrat qui est muni du film multicouche à réflexion, est formée dans la région de réduction d'épaisseur de film par retrait d'au moins une partie du film multicouche à réflexion.
(JA)  基板の主表面上に多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記基板の主表面上に、前記主表面の周縁部において前記基板の内側から外側に向かって膜厚が小さくなる膜厚傾斜領域が設けられるように多層反射膜を形成する多層反射膜形成工程と、多層反射膜の少なくとも一部を除去することにより、前記膜厚傾斜領域に前記多層反射膜付き基板表面の欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と、を有する、EUVリソグラフィー用の多層反射膜付き基板の製造方法である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)