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1. (WO2013146446) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/146446    International Application No.:    PCT/JP2013/057740
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 18.03.2013
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventors: TSUJI, Takashi; (JP).
KINOSHITA, Akimasa; (JP).
FUKUDA, Kenji; (JP)
Agent: SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
2012-081906 30.03.2012 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体素子及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The Ni2Si layer and the TiC layer formed by sintering after depositing a thin layer formed from Ni and a thin film formed from Ti on a silicon carbide substrate are such that the TiC layer is precipitated on the surface of the Ni2Si layer. Furthermore, a multilayer thin film containing a Ti layer as the first thin film and an Ni layer as the second thin film is formed on this TiC layer surface. The composition ratio of C derived from the TiC is 15% or greater at the interface between the TiC layer and the Ti layer of the multilayered thin film. As a result, provided is a silicon carbide semiconductor element with which peeling does not occur during wafer dicing or after the pickup from the dicing tape that is performed after dicing.
(FR)La couche de Ni2Si et la couche de TiC formées par frittage après le dépôt d'une couche mince formée à partir de Ni et d'un film mince formé à partir de Ti sur un substrat en carbure de silicium sont telles que la couche de TiC est précipitée sur la surface de la couche de Ni2Si. De plus, un film mince multi-couches contenant une couche de Ti en tant que premier film mince et une couche de Ni en tant que second film mince est formé sur la surface de la couche de TiC. Le rapport de composition de C issu du TiC est 15 % ou plus à l'interface entre la couche TiC et la couche Ti du film mince multi-couches. Par conséquent, l'invention concerne un élément semi-conducteur en carbure de silicium avec lequel un pelage ne se produit pas pendant le découpage en dés ou de la plaquette ou après l'enlèvement à partir de la bande de découpage en dés qui est effectuée après le découpage en dés.
(JA) 炭化珪素基板上に、Niから成る薄層及びTiから成る薄層を堆積した後のシンタリングによって形成されたNi2Si層及びTiC層が、TiC層がNi2Si層の表面に析出する構造となっている。さらに、このTiC層表面に、第一の薄膜としてTi層、第二の薄膜としてNi層を含む多層薄膜が形成された構造を有する。前記TiC層と前記多層薄膜のTi層との界面においてTiC由来のC組成比を15%以上とする。これにより、ウェハダイシングとそれに引き続くダイシングテープからのピックアップ後にも剥離を生ずることのない炭化珪素半導体素子を提供することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)