WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013146328) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/146328    International Application No.:    PCT/JP2013/057314
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 14.03.2013
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventors: KINOSHITA, Akimasa; (JP).
TSUJI, Takashi; (JP).
FUKUDA, Kenji; (JP)
Agent: SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
2012-082041 30.03.2012 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM FABRIQUÉ PAR CE DERNIER
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法及び当該方法により製造された炭化珪素半導体装置
Abstract: front page image
(EN)This silicon carbide semiconductor device manufacturing method is provided with: a step (A) wherein a first conductivity-type silicon carbide substrate (1) is prepared; a step (B) wherein a first conductivity-type epitaxial layer (2) is formed on one main surface of the first conductivity-type silicon carbide substrate (1); a step (C) wherein a first metal layer is formed on the other main surface of the first conductivity-type silicon carbide substrate (1); a step (D) wherein, after the step (C), the silicon carbide substrate is heat treated, an ohmic contact is formed between the first metal layer and the other main surface of the silicon carbide substrate, and a layer of a substance (10) having excellent adhesiveness with other metals is formed on the first metal layer; and a step (E) wherein, after the step (D), an impurity in the surface of the first metal layer (8) on the other main surface is removed and cleaned. The heat treatment in the step (D) is performed at a temperature of 1,100°C or higher.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium, ledit procédé comprenant : une étape (A) au cours de laquelle est préparé un substrat en carbure de silicium d'un premier type de conductivité (1) ; une étape (B) au cours de laquelle est formée une couche épitaxiale d'un premier type de conductivité (2) sur une surface principale du substrat en carbure de silicium d'un premier type de conductivité (1) ; une étape (C) au cours de laquelle une première couche métallique est formée sur l'autre surface principale du substrat en carbure de silicium d'un premier type de conductivité (1) ; une étape (D) au cours de laquelle, après l'étape (C), le substrat en carbure de silicium est traité thermiquement, un contact ohmique est formé entre la première couche métallique et l'autre surface principale du substrat en carbure de silicium et une couche d'une substance (10) qui présente une excellente adhésivité avec d'autres métaux, est formée sur la première couche métallique ; et une étape (E) au cours de laquelle, après l'étape (D), une impureté sur la surface de la première couche métallique (8) sur l'autre surface principale est retirée et nettoyée. Le traitement thermique réalisé à l'étape (D) est effectué à une température égale ou supérieure à 1 100 °C.
(JA) 第1導電型の炭化珪素基板(1)を準備する工程(A)と、前記第1導電型の炭化珪素基板(1)の1つの主面上に第1導電型のエピタキシャル層(2)を形成する工程(B)と、前記第1導電型の炭化珪素基板(1)の他の主面上に第1の金属層を形成する工程(C)と、前記工程(C)の後、前記炭化珪素基板を熱処理し、前記第1の金属層と前記炭化珪素基板の他方の主面との間にオーミック接合と、前記第1の金属層上に他の金属と密着性の良い物質(10)の層を形成する工程(D)と、前記工程(D)の後、他方の主面上の第1の金属層(8)表面の不純物を除去し清浄化する工程(E)と、を備え、前記工程(D)の熱処理を、1100℃以上で行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)