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1. (WO2013146278) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/146278    International Application No.:    PCT/JP2013/057086
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 13.03.2013
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP)
Inventors: YANAGISAWA YOSHIHIKO; (JP).
INADA TETSUAKI; (JP)
Priority Data:
2012-082127 30.03.2012 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device manufacturing method which has: a step wherein a substrate to be processed is placed on a substrate placing section that is provided in a processing chamber having a plurality of gas supply regions; a film-forming step wherein a processing gas is supplied to the processing chamber, and the substrate is processed; a step wherein the substrate is carried out from the processing chamber; and a cleaning step wherein the density of the cleaning gas is controlled, while controlling cleaning gas quantities in the gas supply regions, respectively, in a state wherein the substrate is not placed in the processing chamber.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur qui a : une étape dans laquelle un substrat devant être traité est placé sur une section de placement de substrat qui est disposée dans une chambre de traitement ayant une pluralité de régions de distribution de gaz ; une étape de formation de film dans laquelle un gaz de traitement est distribué dans la chambre de traitement, et le substrat est traité ; une étape dans laquelle le substrat est extrait de la chambre de traitement ; et une étape de nettoyage dans laquelle la densité du gaz de nettoyage est contrôlée, tout en contrôlant les quantités de gaz de nettoyage dans les régions de distribution de gaz, respectivement, dans un état dans lequel le substrat n'est pas placé dans la chambre de traitement.
(JA) 複数のガス供給領域を有する処理室内に設けられた基板載置部に処理基板を載置する工程と、前記処理室に処理ガスを供給し、前記処理基板を処理する成膜工程と、前記処理基板を前記処理室から搬出する工程と、前記処理室に前記処理基板が載置されていない状態で、前記ガス供給領域それぞれでクリーニングガス量を制御しながら前記クリーニングガスの密度を制御するクリーニング工程と を有する半導体装置の製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)