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1. (WO2013146212) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/146212    International Application No.:    PCT/JP2013/056634
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 11.03.2013
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01), H02M 7/5387 (2007.01), H05K 1/14 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventors: IIZUKA, Yuji; (JP).
HORIO, Masafumi; (JP).
NAKAMURA, Hideyo; (JP)
Agent: HATTORI, Kiyoshi; HATTORI PATENT OFFICE, Hachioji Azumacho Center Building, 9-8, Azuma-cho, Hachioji-shi, Tokyo 1920082 (JP)
Priority Data:
2012-072673 28.03.2012 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device, whereby adhesion to a cooling element can be increased, and the efficiency of production can be enhanced. This semiconductor device is a composite module in which three power semiconductor modules (1) are arranged in the same plane at a predetermined interval, and pin-shaped conductors (25-27) leading to the outside from the power semiconductor modules (1) are connected to three main terminal plates (2A-2C), respectively, whereby the power semiconductor modules (1) are configured as a single body. When the composite module as a whole is housed in a protective case, and heat-releasing fins are furthermore provided, a bottom surface of an insulated substrate can be reliably adhered to the heat-releasing fins and housed in the protective case by fastening the heat-releasing fins and the protective case with bolts inserted into through holes (29).
(FR)L'invention fournit un dispositif à semi-conducteurs et un procédé de fabrication de ce dispositif lequel permet tout en augmentant l'adhérence sur un corps froid, d'améliorer son rendement de production. Trois modules semi-conducteurs de puissance (1) sont alignés à l'intérieur d'un même plan selon un intervalle prédéfini, et des conducteurs en forme de broche (25 à 27) dépassant vers l'extérieur depuis les modules semi-conducteurs de puissance (1) sont connectés individuellement à trois plaques à bornes (2A à 2C), le dispositif à semi-conducteurs constituant ainsi un module composite dans lequel ceux-ci sont configurés d'un seul tenant. Dans le cas où un ensemble module composite est logé dans une enveloppe de protection, et où une ailette de dissipation de chaleur est disposée, du fait de l'ajustement de l'enveloppe de protection et de l'ailette de dissipation à l'aide d'un boulon introduit dans un trou traversant (29), il est possible de mettre en adhérence de manière sûre une face fond d'un substrat d'isolation avec l'ailette de dissipation, et de la loger dans l'enveloppe de protection.
(JA) 冷却体への密着性を高めるとともにその生産効率の向上を図ることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 半導体装置は、三つのパワー半導体モジュール(1)が所定の間隔で同一平面内に並べられ、パワー半導体モジュール(1)から外部に引き出されたピン状導電体(25~27)がそれぞれ3枚の主端子板(2A~2C)と接続されることで、それらが一体に構成された複合モジュールである。複合モジュール全体を保護ケースに収納し、さらに放熱フィンを配置する場合には、貫通孔(29)に挿入されるボルトで保護ケースと放熱フィンを締結することによって、絶縁基板の底面を放熱フィンと確実に密着させて保護ケースに収納することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)