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1. (WO2013146141) CIRCUIT CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/146141 International Application No.: PCT/JP2013/056123
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 06.03.2013
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: MORIYAMA, Hironobu[JP/JP]; JP (US)
DEXERIALS CORPORATION[JP/JP]; Gate City Osaki, East Tower 8F, 1-11-2, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP (AllExceptUS)
Inventors: MORIYAMA, Hironobu; JP
Agent: KOIKE, Akira; 32F, St. Luke's Tower, 8-1, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
Priority Data:
2012-07954230.03.2012JP
Title (EN) CIRCUIT CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING SAME
(FR) MATÉRIAU DE CONNEXION DE CIRCUIT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS QUI UTILISE CE MATÉRIAU
(JA) 回路接続材料、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN) Provided are a circuit connecting material whereby excellent bonding with a facing electrode can be obtained, and a semiconductor device manufacturing method using the circuit connecting material. The present invention uses a circuit connecting material (20), in which a first adhesive layer (21) to be bonded to the semiconductor chip (10) side, and a second adhesive layer (22) having a lowest melt viscosity temperature higher than that of the first adhesive layer (21) are laminated. When the semiconductor chip (10) having the circuit connecting material (20) adhered thereto is mounted on a circuit board (30), the thickness (Hb1) of the first adhesive layer (21) is within a range that satisfies formula (1), thereby obtaining excellent bonding with a facing electrode.
(FR) La présente invention se rapporte à un matériau de connexion de circuit de telle sorte qu'une excellente liaison avec une électrode opposée puisse être obtenue, ainsi qu'à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs qui utilise le matériau de connexion de circuit. La présente invention utilise un matériau de connexion de circuit (20) pour lequel une première couche adhésive (21) qui doit être liée côté puce semi-conductrice (10) et une seconde couche adhésive (21) qui présente une température de viscosité à l'état fondu la plus basse qui est plus élevée que celle de la première couche adhésive (21) sont stratifiées. Lorsque la puce semi-conductrice (10) qui comprend le matériau de connexion de circuit (20) qui adhère à cette dernière, est montée sur une carte de circuit imprimé (30), l'épaisseur (Hb1) de la première couche adhésive (21) se situe dans une plage qui satisfait la formule (1), ce qui permet d'obtenir une excellente liaison avec une électrode opposée.
(JA)  対向する電極との良好な接合を得ることができる回路接続材料、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。半導体チップ(10)側に接着される第1の接着剤層(21)と、第1の接着剤層(21)の最低溶融粘度到達温度よりも高い最低溶融粘度到達温度を有する第2の接着剤層(22)とが積層された回路接続材料(20)を用いる。この回路接続材料(20)が貼り付けられた半導体チップ(10)を回路基板(30)に搭載した際、第1の接着剤層(21)の厚みHb1が下記式(1)を満たす範囲であることにより、対向する電極との良好な接合を得ることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)