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1. (WO2013145694) WAFER FOR FORMING IMAGING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SOLID IMAGING ELEMENT, AND IMAGING ELEMENT CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/145694    International Application No.:    PCT/JP2013/002010
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 25.03.2013
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: ICHIKI, Takahiko; (JP)
Agent: YANAGIDA, Masashi; YANAGIDA & Associates, 7F, Shin-Yokohama KS Bldg., 3-18-3, Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
Priority Data:
2012-078609 30.03.2012 JP
Title (EN) WAFER FOR FORMING IMAGING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SOLID IMAGING ELEMENT, AND IMAGING ELEMENT CHIP
(FR) TRANCHE DESTINÉE À FORMER UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PUCE D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE
(JA) 撮像素子形成ウエハ、固体撮像素子の製造方法および撮像素子チップ
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To make it possible to inspect the quality of a photoelectric conversion film in a step for manufacturing an imaging element. [Solution] This invention is provided with a test pattern (10) and a plurality of imaging element parts (101a) that include an imaging region (112) comprising a large number of photoelectric conversion pixels, the imaging element parts (101a) and the test pattern (10) being formed on a semiconductor wafer (110). The test pattern (10) includes: a testing organic photoelectric conversion film (130a) and a testing counter electrode (131a) structured identically and formed at the same time as the organic photoelectric conversion film (130) and the counter electrode (131), respectively, of the photoelectric conversion pixels; a first testing terminal (127a) electrically connected to the lower surface side of the testing organic photoelectric conversion film (130a) and a second testing terminal (127b) electrically connected to the testing counter electrode (131a). A protective film (132) is formed over the entire semiconductor wafer (110) so as to cover the imaging region (112) and the test pattern (10), and is then partially removed so that part of the testing terminals (127a, 127b) is exposed.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à rendre possible le contrôle de la qualité d'un film de conversion photoélectrique lors d'une étape de fabrication d'un élément d'imagerie. La solution proposée consiste en une mire de réglage (20) et une pluralité de parties d'élément d'imagerie (101a) qui comprennent une région d'imagerie (112) comprenant un grand nombre de pixels de conversion photoélectrique, les parties d'élément d'imagerie (101a) et la mire de réglage (10) étant formées sur une tranche de semi-conducteur (110). La mire de réglage (10) comprend : un film de conversion photoélectrique organique de test (130a) et une contre-électrode de test (131a) structurées identiquement et formées en même temps que le film de conversion photoélectrique organique (130) et la contre-électrode (131), respectivement, des pixels de conversion photoélectrique ; une première borne de test (127a) raccordée électriquement côté surface inférieure du film de conversion photoélectrique organique de test (130a) et une seconde borne de test (127b) raccordée électriquement à la contre-électrode de test (131a). Un film de protection (132) est formé sur toute la tranche de semi-conducteur (110) de sorte à recouvrir la région d'imagerie (122) et la mire de réglage (10) et est ensuite partiellement retiré de telle sorte qu'une partie des bornes de test (127a, 127b) soit exposée.
(JA)【課題】撮像素子の製造工程中において、光電変換膜の良否を検査可能とする。 【解決手段】半導体ウエハ(110)上に形成された、多数の光電変換画素からなる撮像領域(112)を含む複数の撮像素子部(101a)と、テストパターン(10)とを備え、テストパターン(10)は、光電変換画素の有機光電変換膜(130)および対向電極(131)とそれぞれ同時に形成された同一構成のテスト用有機光電変換膜(130a)およびテスト用対向電極(131a)、テスト用有機光電変換膜(130a)の下面側に電気的に接続された第1のテスト用端子(127a)、およびテスト用対向電極(131a)に電気的に接続された第2のテスト用端子(127b)を含むものとする。撮像領域(112)およびテストパターン(10)を覆うように半導体ウエハ(110)上の全域に亘って保護膜(132)を形成した後に、テスト用端子(127a,127b)の一部を露出するように部分的に除去する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)