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Pub. No.:    WO/2013/145630    International Application No.:    PCT/JP2013/001831
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 18.03.2013
C23C 16/455 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: SAITOU, Tetsuya; (JP)
Agent: INOUE, Toshio; 601, Storktower Odori-Park 3, 2-15-1, Yayoicho, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310058 (JP)
Priority Data:
2012-081729 30.03.2012 JP
(JA) 成膜装置
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a film-forming apparatus, which excellently disperses reaction gases, and which can form a film having excellent in-plane uniformity. [Solution] This film-forming apparatus forms a film by sequentially supplying a plurality of kinds of reaction gases and a replacement gas to a substrate (W) placed between a placing section (2) and a ceiling section (31) in a processing chamber having vacuum atmosphere. A center gas discharging section (4b) is disposed above the center portion of the substrate (W), and has formed therein gas discharge ports (42) for spreading the gases toward the outer side in the horizontal direction. A peripheral gas supply section (5) is disposed to surround the center gas discharge section (4b), and has a plurality of gas discharge ports (511, 512), which are formed in the circumferential direction such that the gases are spread in the horizontal direction toward the outer circumferential side and the center portion side of the substrate (W) in a planar view.
(FR)L'invention a pour but de proposer un appareil de formation de film, qui disperse de façon excellente des gaz de réaction et qui peut former un film ayant une excellente uniformité dans le plan. A cet effet, selon l'invention, cet appareil de formation de film forme un film par introduction de façon séquentielle de plusieurs sortes de gaz de réaction et d'un gaz de remplacement à un substrat (W) placé entre une section de disposition (2) et une section plafond (31) dans une chambre de traitement ayant une atmosphère de vide. Une section de décharge de gaz centrale (4b) est disposée au-dessus de la partie centrale du substrat (W) et a, formés dans celle-ci, des orifices de décharge de gaz (42) pour répartir les gaz vers le côté externe dans la direction horizontale. Une section d'alimentation en gaz périphérique (5) est disposée pour entourer la section de décharge de gaz centrale (4b) et a plusieurs orifices de décharge de gaz (511, 512), qui sont formés dans la direction circonférentielle de telle sorte que les gaz sont répartis dans la direction horizontale vers le côté circonférentiel externe et le côté de partie centrale du substrat (W) dans une vue planaire.
(JA)【課題】反応ガスの分散性が高く、面内均一性の良好な膜を成膜可能な成膜装置を提供する。 【解決手段】真空雰囲気である処理室内の載置部2と天井部31との間に載置される基板Wに対して複数種類の反応ガスや置換用のガスを順番に供給して成膜処理を行う成膜装置において、中央ガス吐出部4bは、基板Wの中央部上方に配置され、横方向外側に向けてガスを広げるためのガス吐出口42が形成され、周囲ガス供給部5は、前記中央ガス吐出部4bを囲むように配置され、平面でみたときに基板Wの外周側及び中央部側に向けて各々横方向にガスを広げるように周方向に沿って形成された複数のガス吐出口511、512を有する。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)