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1. (WO2013145509) WAFER PROCESSING METHOD, WAFER PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/145509    International Application No.:    PCT/JP2013/000185
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 17.01.2013
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 33/22 (2010.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventors: NISHIDA, Takanobu; (JP)
Agent: YAMAMOTO, Shusaku; GRAND FRONT OSAKA TOWER C, 3-1 Ofuka-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300011 (JP)
Priority Data:
2012-071732 27.03.2012 JP
Title (EN) WAFER PROCESSING METHOD, WAFER PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PLAQUETTES, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE PLAQUETTES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ウエハ処理方法、ウエハ処理装置および半導体発光素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To efficiently form an optimum projection/indentation shape for reducing generated light loss in a light-emitting layer. [Solution] The invention is a wafer processing method in which, on the basis of a mask (2) that has been patterned on a wafer that configures a film-for-etching (1), a surface portion of the film-for-etching (1) of the wafer is processed. In a single etching device, a mask processing step and a transfer etching step are performed, changing the type of a process gas and the pressure of the process gas. In said mask processing step, the mask (2) is processed into a projection shape that corresponds to a projection shape to be transferred to the film-for-etching (1). In said transfer etching step, on the basis of the processed mask shape, the mask shape is transferred to the surface portion of the film-for-etching (1).
(FR)[Problème] Constitution efficace d'une forme d'indentation/de projection optimale pour réduire la perte de lumière générée dans une couche d'émission de lumière. [Solution] L'invention est un procédé de traitement de plaquettes selon lequel, sur la base d'un masque (2) qui a été modelé sur une plaquette qui configure un film pour gravure (1), une partie de la surface du film pour gravure (1) de la plaquette est traitée. Dans un dispositif de gravure unique, une étape de traitement de masque et une étape de gravure de transfert sont effectuées, changeant le type d'un gaz de procédé et la pression du gaz de traitement. Au cours de ladite étape de traitement de masque, le masque (2) est traité dans une forme de projection qui correspond à une forme de projection, qui doit être transférée sur le film pour gravure (1). Au cours de ladite étape de gravure, sur la base de la forme de masque traitée, la forme de masque est transférée sur la partie de surface du film pour gravure (1).
(JA)【課題】発光層での生成光ロスを低減するために最適な凹凸形状を効率的に形成する。 【解決手段】被エッチング膜1を構成するウエハ上にパターンニングされたマスク2に基づいてウエハの被エッチング膜1の表面部を加工するウエハ処理方法であって、被エッチング膜1に転写すべき凸形状に対応した凸形状にマスク2を加工するマスク加工工程と、加工されたマスク形状に基づいて被エッチング膜1の表面部にマスク形状を転写する転写エッチング工程とを一つのエッチング装置内で処理ガスの種類および処理ガスの圧力を変えて行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)