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1. (WO2013145471) METHOD FOR MANUFACTURING POWER MODULE, AND POWER MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/145471    International Application No.:    PCT/JP2012/083041
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 20.12.2012
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 21/52 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventors: IKEDA Osamu; (JP).
TEROUCHI Toshio; (JP).
MORITA Toshiaki; (JP)
Agent: HIRAKI Yusuke; Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232 (JP)
Priority Data:
2012-069419 26.03.2012 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING POWER MODULE, AND POWER MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) パワーモジュールの製造方法、及びパワーモジュール
Abstract: front page image
(EN)Provided is a lead-free bonding technique having both excellent heat radiation performance properties and a substrate bonding part with excellent bonding performanceproperties. A semiconductor element is bonded, using a sinter-type Ag paste, to a ceramic substrate having pure copper wiring (where the porous Ag layer has a porosity of 5% to less than 30%). Then, hydrogen reduction is performed, and the ceramic substrate is bonded to the base using an Sn-based solder having a solidus temperature equal to or greater than 227°C (fig. 8).
(FR)L'invention fournit une technologie de liaison sans plomb combinant des propriétés de dissipation de chaleur satisfaisantes et des propriétés de liaison d'une partie liaison de substrat également satisfaisantes. Après liaison d'un élément semi-conducteur sur un substrat céramique possédant un câblage pure Cu à l'aide d'une pâte Ag de type fritté (dans une couche Ag poreuse, l'indice des vides est supérieur ou égal à 5% et inférieur à 30%), une réduction par hydrogène est effectuée, et le substrat de céramique est lié à une base par soudage de Sn de température de solidus supérieure ou égale à 227°C (figure 8).
(JA) 良好な放熱性と基板接合部の良好な接合性を両立する鉛フリー接合技術を提供する。焼結型のAgペーストで半導体素子をCu無垢配線を有するセラミック基板に接合した後(多孔質のAg層において、空隙率が5%以上30%未満)、水素還元し、固相線温度227℃以上のSn系はんだでセラミック基板をベースに接合する(図8)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)