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1. (WO2013144619) SELF MODE - LOCKING SEMICONDUCTOR DISK LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/144619    International Application No.:    PCT/GB2013/050799
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 27.03.2013
IPC:
H01S 3/11 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/14 (2006.01), H01S 5/065 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01), H01S 3/094 (2006.01), H01S 5/04 (2006.01), H01S 3/081 (2006.01), H01S 3/08 (2006.01)
Applicants: SOLUS TECHNOLOGIES LIMITED [GB/GB]; Venture Building, 1 Kelvin Campus West of Scotland Science Park, Maryhill Road Glasgow Central Scotland G20 0SP (GB)
Inventors: HAMILTON, Craig James; (GB).
MALCOLM, Graeme Peter Alexander; (GB).
KORNASZESKI, Lukasz; (GB)
Agent: LINCOLN IP; 9 Victoria Street Aberdeen Aberdeenshire AB10 1XB (GB)
Priority Data:
1205587.7 29.03.2012 GB
Title (EN) SELF MODE - LOCKING SEMICONDUCTOR DISK LASER
(FR) LASER À DISQUE SEMI-CONDUCTEUR À AUTOBLOCAGE DE MODE
Abstract: front page image
(EN)The present invention describes a self mode locking laser and a method for self mode locking a laser. The laser (1) comprises a resonator terminated by first (3) and second (4) mirrors and folded by a third mirror (5). The third mirror comprises a single distributed Bragg reflector (17) upon which is mounted a multilayer semiconductor gain medium (18) and which includes at least one quantum well layer and an optical Kerr lensing layer (22). Self mode locking may be achieved by configuring the laser resonator such that the lensing effect of the Kerr lensing layer acts to reduce an astigmatism deliberately introduced to the cavity mode. The self mode locking of the laser may be further enhanced by selecting the length of the resonator such that a round trip time of a cavity mode is matched with an upper- state lifetime of one or more semiconductor carriers located within the gain medium.
(FR)La présente invention concerne un laser à autoblocage de mode ainsi qu'un procédé d'autoblocage de mode d'un laser. Le laser (1) comprend un résonateur terminé par des premier (3) et deuxième miroirs (4) et plié par un troisième miroir (5). Le troisième miroir comprend un seul réflecteur de Bragg réparti (17) sur lequel est monté un matériau actif semi-conducteur multicouche (18) qui comprend au moins une couche de puits quantique et une couche de lentille de Kerr optique (22). L'autoblocage de mode peut être obtenu par la configuration du résonateur laser, de telle sorte que l'effet lenticulaire de la couche de lentille de Kerr réduise l'astigmatisme introduit délibérément dans le mode de la cavité. L'autoblocage du laser peut en outre être amélioré par la sélection de la longueur du résonateur de telle sorte qu'un temps d'aller-retour d'un mode de la cavité soit mis en correspondance avec une durée de vie d'états supérieurs d'un ou plusieurs supports semi-conducteurs situés dans le matériau actif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)