WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013143255) PREPARATION METHOD FOR SELECTIVE EMITTER OF CRYSTALLINE SILICON PHOTOVOLTAIC CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/143255 International Application No.: PCT/CN2012/080273
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 17.08.2012
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: LU, Weiming[CN/CN]; CN (UsOnly)
ET SOLAR INDUSTRY LIMITED[CN/CN]; Yaojia Road, Jiulong Industry Zone Taizhou, Jiangsu 225312, CN (AllExceptUS)
Inventors: LU, Weiming; CN
Agent: CHINA CHANGZHOU VEI PATENT OFFICE; 6th Floor, Building C Administration Center, Yanzheng Rd.(M), Wujin Changzhou, Jiangsu 213159, CN
Priority Data:
201210084993.628.03.2012CN
Title (EN) PREPARATION METHOD FOR SELECTIVE EMITTER OF CRYSTALLINE SILICON PHOTOVOLTAIC CELL
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN ÉMETTEUR SÉLECTIF D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À BASE DE SILICIUM CRISTALLIN
(ZH) 一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法
Abstract:
(EN) Disclosed is a preparation method for a selective emitter of a crystalline silicon photovoltaic cell, comprising the steps of: (a) growing a diffusion mask on the suede of a crystalline silicon wafer using an anodic oxidation method, and then performing corrosion or laser grooving thereon to form an electrode gate line region; and (b) using a one-time diffusion process to form a heavily doped region in the electrode gate line region and form a shallow doped region in a non-electrode gate line region. At this point, this selective emitter of a crystalline silicon photovoltaic cell is completely prepared. This preparation method for a selective emitter of a crystalline silicon photovoltaic cell is a method using anodic oxidation. A diffusion blocking layer is prepared at room temperature, and at the same time, no vacuum device is required. The device is simple and cheap, and is suitable for mass production.
(FR) La présente invention se rapporte à un procédé de préparation d'un émetteur sélectif d'une cellule photovoltaïque à base de silicium cristallin, ledit procédé comprenant les étapes consistant à : (a) déposer un masque de diffusion sur le suède d'une tranche de silicium cristallin à l'aide d'un procédé d'oxydation anodique et, ensuite, effectuer un rainurage laser ou par corrosion sur cette dernière afin de former une région de ligne de grille d'électrode ; et (b) utiliser un ancien procédé de diffusion pour former une région lourdement dopée dans la région de ligne de grille d'électrode et former une région dopée peu profonde dans une région de ligne de grille sans électrode. A cet instant, cet émetteur sélectif d'une cellule photovoltaïque à base de silicium cristallin est complètement préparé. Ce procédé de préparation d'un émetteur sélectif d'une cellule photovoltaïque à base de silicium cristallin est un procédé qui utilise l'oxydation anodique. Une couche barrière anti-diffusion est préparée à température ambiante et, en même temps, aucun dispositif à vide n'est nécessaire. Le dispositif est simple et bon marché et convient pour une production en masse.
(ZH) 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法,包括以下步骤:(a)在晶体硅片绒面上通过阳极氧化的方法生长扩散掩膜,再腐蚀或者激光开槽形成电极栅线区域;(b)采用一次扩散工艺,在电极栅线区域形成重掺杂区,在非电极栅线区域形成浅掺杂区,至此这种晶体硅太阳能电池选择性发射极制备完毕。这种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法是采用阳极氧化的方法,在室温下制备扩散阻挡层,同时不需要真空设备,设备简单,廉价,适合大规模生产。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)