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1. (WO2013143157) GATE ELECTRODE DRIVING CIRCUIT OF DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/143157 International Application No.: PCT/CN2012/073516
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 05.04.2012
IPC:
G09G 3/36 (2006.01)
Applicants: CHEN, Shyhfeng[CN/CN]; CN (UsOnly)
SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; Wang,kexin No.9-2 Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN (AllExceptUS)
Inventors: CHEN, Shyhfeng; CN
Agent: ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY; Wang Kexin Cyber Times Tower A Room 1409 Tian'an Cyber Park, Futian District ShenZhen, Guangdong 518040, CN
Priority Data:
201210091066.730.03.2012CN
Title (EN) GATE ELECTRODE DRIVING CIRCUIT OF DISPLAY DEVICE
(FR) CIRCUIT D'ACTIONNEMENT D'ÉLECTRODE DE GRILLE POUR DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 显示器的闸极驱动电路
Abstract: front page image
(EN) A gate electrode driving circuit of a display device. Utilized is at least one transistor (T33) serial-connected between a transistor (T31) connected to a node (Q1) providing a high potential and a reference voltage signal input end (Vss), while a voltage load between a source electrode and a drain electrode of the transistor (T31) connected to the node (Q1) is apportioned to the at least one transistor (T33). This reduces the occurrence of current leakage on the transistor (T31), thus increasing the stability of the driving voltage of the gate electrode driving circuit, thereby improving the reliability of the gate electrode driving circuit.
(FR) L'invention concerne un circuit d'actionnement d'électrode de grille pour un dispositif d'affichage, comprenant au moins un transistor (T33) connecté en série entre un transistor (T31) connecté à un nœud (Q1) fournissant un potentiel élevé et une extrémité d'entrée de signal de tension de référence (Vss), tandis qu'une charge de tension entre une électrode source et une électrode de drain du transistor (T31) connecté au nœud (Q1) est rapportée audit au moins un transistor (T33). Cela permet de réduire les apparitions de fuite de courant sur le transistor (T31), et d'améliorer ainsi la stabilité de la tension d'actionnement du circuit d'actionnement d'électrode de grille, et donc la fiabilité du circuit d'actionnement d'électrode de grille.
(ZH) 一种显示器的闸极驱动电路,其利用在连接提供一高电位的节点(Q1)的晶体管(T31)和参考电压信号输入端(Vss)之间串联至少一个晶体管(T33),以将连接该节点(Q1)的该晶体管(T31)源极和汲极间的电压负荷分摊到该至少一个晶体管(T33)上,借此减少该晶体管(T31)发生漏电流的情形,从而提高闸极驱动电路的驱动电压的稳定性,提升闸极驱动电路的可靠度。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)