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1. (WO2013143148) GATE ELECTRODE DRIVING CIRCUIT OF DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/143148    International Application No.:    PCT/CN2012/073422
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 31.03.2012
IPC:
G09G 3/36 (2006.01), G11C 19/18 (2006.01), G11C 19/28 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Wang Kexin No.9-2 Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN) (For All Designated States Except US).
CHEN, Shyhfeng [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: CHEN, Shyhfeng; (CN)
Agent: ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY; Wang Kexin Cyber Times Tower A Room 1409 Tian'an Cyber Park, Futian District ShenZhen, Guangdong 518040 (CN)
Priority Data:
201210090484.4 30.03.2012 CN
Title (EN) GATE ELECTRODE DRIVING CIRCUIT OF DISPLAY DEVICE
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE D'ÉLECTRODE DE GRILLE D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 显示器的闸极驱动电路
Abstract: front page image
(EN)A gate electrode driving circuit of a display device. Utilized are at least one transistor (T33) serial-connected between a transistor (T31) connected to a node (Q1) providing a high potential and a reference voltage signal input end (Vss), and a predetermined high potential provided at an input end (OUT(N)) between the transistor (T31) connected to the node (Q1) and the at least one transistor (T33), such as: a driving voltage (OUT(N)) of a gate line corresponding to the electrode is fed back to the input end (OUT(N)), where the predetermined high potential provided is capable of reducing the potential difference between a source electrode and a drain electrode of the transistor (T31). This reduces the occurrence of current leakage on the transistor, thus increasing the stability of the driving voltage of the gate electrode driving circuit, thereby improving the reliability of the gate electrode driving circuit.
(FR)L'invention concerne un circuit de commande d'électrode de grille d'un dispositif d'affichage comprenant au moins un transistor (T33) connecté en série entre un transistor (T31) connecté à un nœud (Q1) fournissant un potentiel élevé et une extrémité d'entrée de signal de tension de référence (Vss), et un potentiel élevé prédéterminé fourni à une extrémité d'entrée (OUT(N)) entre le transistor (T31) connecté au nœud (Q1) et le ou les transistors (T33). Par exemple, une tension de commande (OUT(N)) d'une ligne de grille correspondant à l'électrode est transmise à l'extrémité d'entrée (OUT(N)) où le potentiel élevé prédéterminé fourni est capable de réduire la différence de potentiel entre une électrode de source et une électrode de drain du transistor (T31). Cela réduit l'occurrence d'une fuite de courant sur le transistor, ce qui permet d'augmenter la stabilité de la tension de commande du circuit de commande d'électrode de grille, et d'améliorer ainsi la fiabilité du circuit de commande d'électrode de grille.
(ZH)一种显示器的闸极驱动电路,利用在连接提供一高电位之节点(Q1)的晶体管(T31)和参考电压信号输入端(Vss)之间串联至少一晶体管(T33),并在连接该节点(Q1)之晶体管(T31)和该至少一晶体管(T33)间的一输入端(OUT(N))提供预定高电位,例如:将对应该级之闸极线的驱动电压(OUT(N)),反馈进入该输入端(OUT(N)),而所提供的该预定高电位能够使得该晶体管(T31)源极和汲极间的电位差降低,藉此减少该晶体管发生漏电流的情形,从而提高闸极驱动电路之驱动电压的稳定性,以提升闸极驱动电路的可靠度。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)