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1. (WO2013143032) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/143032    International Application No.:    PCT/CN2012/000464
Publication Date: 03.10.2013 International Filing Date: 09.04.2012
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (For All Designated States Except US).
YIN, Haizhou [CN/US]; (US) (For US Only).
JIANG, Wei [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: YIN, Haizhou; (US).
JIANG, Wei; (CN)
Agent: CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F Great Eagle Center 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Priority Data:
201210088153.7 29.03.2012 CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(ZH) 半导体器件及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device comprises: a first epitaxial layer (2) on a substrate (1); and a second epitaxial layer (3) on the first epitaxial layer (2); a MOSFET formed in an active region of the second epitaxial layer (3); and an inverted T-shaped STI (5), formed in the first epitaxial layer (2) and the second epitaxial layer (3) and enclosing the active region. The double-layer epitaxial layer is selectively etched so as to form the inverted T-shaped STI (5), thereby effectively reducing current leakage of the device while not shrinking the area of the active region, and improving the device reliability.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend : une première couche épitaxiale (2) sur un substrat (1); et une seconde couche épitaxiale (3) sur la première couche épitaxiale (2); un MOSFET formé dans une région active de la seconde couche épitaxiale (3); et une isolation de tranchée superficielle (STI) en forme de T inversé (5), formée dans la première couche épitaxiale (2) et la seconde couche épitaxiale (3), entourant la région active. La couche épitaxiale à double couche est gravée de manière sélective de façon à former la STI en forme de T inversé (5), réduisant ainsi de manière efficace la fuite de courant du dispositif tout en ne diminuant pas l'aire de la région active, et améliorant la fiabilité du dispositif.
(ZH)一种半导体器件,包括:在衬底(1)上的第一外延层(2);在第一外延层(2)上的第二外延层(3),在第二外延层(3)的有源区中形成MOSFET;反T型的STI(5),形成在第一外延层(2)和第二外延层(3)中,并且包围有源区。采用选择性刻蚀双层外延层从而形成反T型的STI(5),有效减少器件泄漏电流而同时又不会缩小有源区面积,提高了器件的可靠性。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)