(DE) In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (20) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mit einer Hauptwellenlänge kleiner 500 nm. Der Halbleiterchip (1) beinhaltet ein erstes Konversionselement (31) zur Erzeugung einer ersten Sekundärstrahlung und ein zweites Konversionselement (32) zur Erzeugung einer zweiten Sekundärstrahlung. Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist in elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbare und lateral benachbart angeordnete Segmente (21, 22) unterteilt. Die Konversionselemente (31, 32) sind auf Strahlungshauptseiten (25) der Segmente (21, 22) angebracht. Bei der ersten Sekundärstrahlung handelt es sich um farbiges Licht und bei der zweiten Sekundärstrahlung handelt es sich um weißes Licht.
(EN) In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises a semiconductor layer sequence (2) having an active layer (20) for generating a primary radiation having a main wavelength less than 500 nm. The semiconductor chip (1) contains a first conversion element (31) for generating a first secondary radiation and a second conversion element (32) for generating a second secondary radiation. The semiconductor layer sequence (2) is divided into segments (21, 22) that can be controlled electrically independently of each other and that are arranged laterally adjacent to each other. The conversion elements (31, 32) are attached to main radiation sides (25) of the segments (21, 22). The first secondary radiation is colored light and the second secondary radiation is white light.
(FR) Dans au moins un mode de réalisation, la puce de semi-conducteur optoélectronique (1) présente une suite de couches semi-conductrices (2) comprenant une couche active (20) servant à générer un rayonnement primaire ayant une longueur d'onde principale inférieure à 500 nm. La puce de semi-conducteur (1) contient un premier élément de conversion (31) servant à générer un premier rayonnement secondaire et un deuxième élément de conversion (32) servant à générer un deuxième rayonnement secondaire. La suite de couches semi-conductrices (2) est divisée en segments (21, 22), voisins latéralement, qui peuvent être excités électriquement indépendamment les uns des autres. Les éléments de conversion (31, 32) sont disposés sur les faces de rayonnement principales (25) des segments (21, 22). Le premier rayonnement secondaire est de la lumière de couleur tandis que le deuxième rayonnement secondaire est de la lumière blanche.