(EN) The present invention addresses the issue of providing: a polycrystalline silicon wafer, which is manufactured by means of a melting method, which has an outer diameter of 450 mm or more, and which is characterized in that the depth of scratches on the wafer is 10 μm or less; a polycrystalline silicon wafer, which is manufactured by means of a melting method, which has an outer diameter of 450 mm or more, and which is characterized in having on the wafer, one scratch at most per one section when the whole wafer is divided into 100 mm by 100 mm squares, said scratch having a width of 40-100 μm and a depth more than 10 μm but equal to or less than 40 μm, and other scratches with a depth equal to or less than 10 μm; and a large polycrystalline silicon wafer, specifically a silicon wafer, which has a wafer size with an outer diameter of 450 mm or more, which generates a small number of small scratches on the wafer surface, and which has mechanical properties similar to those of single crystalline silicon wafers.
(FR) La présente invention a pour objectif de pourvoir à : une plaquette de silicium polycristallin, qui est fabriquée au moyen d'un procédé de fusion, ayant un diamètre extérieur de 450 mm ou plus, et qui est caractérisée en ce que la profondeur des rayures sur la plaquette est de 10 μm ou moins ; une plaquette de silicium polycristallin, qui est fabriquée au moyen d'un procédé de fusion, ayant un diamètre extérieur de 450 mm ou plus, et qui est caractérisée en ce qu'elle présente sur la plaquette, une rayure au plus par section quand la totalité de la plaquette est divisée en carrés de 100 mm de côté, ladite rayure ayant une largeur de 40 à 100 μm et une profondeur supérieure à 10 μm mais égale ou inférieure à 40 μm, et d'autres rayures d'une profondeur égale ou inférieure à 10 μm ; et une plaquette de silicium polycristallin de grande dimension, plus spécifiquement une plaquette de silicium, ayant une taille de plaquette d'un diamètre extérieur de 450 mm ou plus, qui génère un petit nombre de petites rayures à la surface de la plaquette, et qui est douée de propriétés mécaniques similaires à celles des plaquettes de silicium monocristallin.
(JA) 溶解法により作製した外径が４５０ｍｍ以上の多結晶シリコンウエハであって、該ウエハに存在する傷の深さが１０μｍ以下であることを特徴とする多結晶シリコンウエハ。溶解法により作製した外径が４５０ｍｍ以上の多結晶シリコンウエハであって、該ウエハに存在する幅が４０μｍ以上１００μｍ以下、深さが１０μｍ超４０μｍ以下である傷が、ウエハ全体を１００ｍｍ角に区分した場合の一区分当たりの最大個数が１個以下であり、残余の傷の深さが１０μｍ以下であることを特徴とする多結晶シリコンウエハ。大型の多結晶シリコンウエハであって、特にウエハサイズが外径４５０ｍｍ以上のシリコンウエハにおいて、ウエハ面の傷の発生が少量でかつ小さく、単結晶シリコンウエハの機械的物性に類似した大型の多結晶シリコンウエハを提供することを課題とする。