Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2013129276 - MAGNETIC SENSOR ELEMENT

Publication Number WO/2013/129276
Publication Date 06.09.2013
International Application No. PCT/JP2013/054646
International Filing Date 25.02.2013
IPC
G01R 15/20 2006.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
15Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/-G01R29/, G01R33/-G01R33/26176
14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
20using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices
G01R 33/09 2006.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices
09Magneto-resistive devices
CPC
G01R 15/205
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
15Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00 and G01R33/00 - G01R35/00
14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
20using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices ; , i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
205using magneto-resistance devices, e.g. field plates
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
Applicants
  • TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 原谷 進 Haratani Susumu
  • 山口 仁 Yamaguchi Hitoshi
  • 志村 茂 Shimura Shigeru
  • 宮崎 雅弘 Miyazaki Masahiro
Priority Data
2012-04671702.03.2012JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) MAGNETIC SENSOR ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE CAPTEUR MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気センサ素子
Abstract
(EN)
[Problem] To provide a magnetic sensor element capable of detecting an external magnetic field to be detected over a wide range at high sensitivity and low power consumption. [Solution] The present invention is a magnetic sensor element characterized by being provided with a magnetoresistance effect element for detecting an external magnetic field, and a compensating current line for applying a compensating magnetic field to the magnetoresistance effect element by the passage of a compensating current therethrough, and characterized in that the compensating current line includes first and second current lines that are disposed parallel to each other so as to vertically sandwich the magnetoresistance effect element therebetween with an insulating film interposed therebetween, and a connecting conductor that connects the current lines, and the compensating current flows through the first and second current lines in antiparallel directions.
(FR)
La présente invention vise à proposer un élément de capteur magnétique apte à détecter un champ magnétique externe à détecter sur une large plage à une sensibilité élevée et une consommation d'énergie faible. A cet effet, la présente invention porte sur un élément de capteur magnétique caractérisé en ce qu'il comporte un élément à effet magnétorésistif pour détecter un champ magnétique externe, et une ligne de courant de compensation pour appliquer un champ magnétique de compensation à l'élément à effet magnétorésistif par le passage d'un courant de compensation à travers celui-ci, et caractérisé par le fait que la ligne de courant de compensation comprend des première et seconde lignes de courant qui sont disposées parallèles l'une à l'autre de manière à prendre en sandwich de manière verticale l'élément à effet magnétorésistif entre celles-ci ayant un film isolant interposé entre ceux-ci, et un conducteur de liaison qui relie les lignes de courant, et le courant de compensation s'écoule à travers les première et seconde lignes de courant dans des directions antiparallèles.
(JA)
【課題】広範囲に亘る検出対象外部磁界を高感度、かつ低消費電力にて検出可能な磁気センサ素子を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は、外部磁界を検出するための磁気抵抗効果素子と、補償電流が流れることにより、補償磁界を磁気抵抗効果素子に付与する補償電流線とを備え、補償電流線は、磁気抵抗効果素子を、絶縁膜を介して、上下に挟み込むように平行に配置された第1及び第2の電流線と、それらを接続する接続導体とを含み、補償電流は、第1及び第2の電流線を反平行方向に流れることを特徴とする磁気センサ素子である。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau