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1. (WO2013126771) METHODS AND MATERIALS FOR ANCHORING GAPFILL METALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/126771    International Application No.:    PCT/US2013/027425
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 22.02.2013
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538 (US)
Inventors: KOLICS, Artur; (US)
Agent: LEE, Michael; Beyer Law Group LLP P.O. Box 51887 Palo Alto, California 94303-1887 (US)
Priority Data:
13/404,274 24.02.2012 US
Title (EN) METHODS AND MATERIALS FOR ANCHORING GAPFILL METALS
(FR) PROCÉDÉS ET MATÉRIAUX POUR ANCRAGE DE MÉTAUX DE REMPLISSAGE D'INTERVALLE
Abstract: front page image
(EN)One aspect of the present invention includes a method of fabricating an electronic device. According to one embodiment, the method comprises providing a substrate having dielectric oxide surface areas adjacent to electrically conductive surface areas, chemically bonding an anchor compound with the dielectric oxide surface areas so as to form an anchor layer, initiating the growth of a metal using the electrically conductive surface areas and growing the metal so that the anchor layer also bonds with the metal. The anchor compound has at least one functional group capable of forming a chemical bond with the oxide surface and has at least one functional group capable of forming a chemical bond with the metal. Another aspect of the present invention is an electronic device. A third aspect of the present invention is a solution comprising the anchor compound.
(FR)Selon un aspect, la présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. Selon un mode de réalisation, le procédé consiste à utiliser un substrat ayant des zones de surface d'oxyde diélectrique adjacentes à des zones de surface conductrices de l'électricité, à lier chimiquement un composé d'ancrage aux zones de surface d'oxyde diélectrique de façon à former une couche d'ancrage, à déclencher la croissance d'un métal en utilisant les zones de surface conductrices de l'électricité, et à faire croître le métal de telle sorte que la couche d'ancrage se lie également au métal. Le composé d'ancrage comprend au moins un groupe fonctionnel pouvant former une liaison chimique avec la surface d'oxyde et au moins un groupe fonctionnel pouvant former une liaison chimique avec le métal. Un autre aspect de la présente invention concerne un dispositif électronique. Un troisième aspect de la présente invention concerne une solution comportant le composé d'ancrage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)