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1. (WO2013126427) ARCHITECTURE AND METHOD TO DETERMINE LEAKAGE IMPEDANCE AND LEAKAGE VOLTAGE NODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/126427    International Application No.:    PCT/US2013/026900
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 20.02.2013
IPC:
G01R 27/00 (2006.01), G01R 27/02 (2006.01)
Applicants: ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way Norwood, MA 02062 (US)
Inventors: STREIT, Lawrence, C.; (US)
Agent: OREKHOV, Vitaliy; Kenyon & Kenyon LLP 1500 K Street, NW Washington, DC 20005 (US)
Priority Data:
61/601,830 22.02.2012 US
13/756,101 31.01.2013 US
61/601,818 22.02.2012 US
Title (EN) ARCHITECTURE AND METHOD TO DETERMINE LEAKAGE IMPEDANCE AND LEAKAGE VOLTAGE NODE
(FR) ARCHITECTURE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉTERMINER UNE IMPÉDANCE DE FUITE ET UN NOEUD DE TENSION DE FUITE
Abstract: front page image
(EN)A circuit, system, machine-readable storage medium and method for detecting the leakage impedance in a voltage source is described. The method for identifying a presence of a leakage path in a multi-cell floating voltage source may include supplying a current to a node of the floating voltage source and sampling the voltage of the floating voltage source using a pair of amplifiers connecting in inverting configurations. The method may include sampling a reference ground potential using a reference amplifier connected in an inverting configuration. Each of the amplifiers may output an output signal. The method may include adjusting the current supplied to the node of the floating voltage source and resampling the voltage of the floating voltage source and the reference ground potential. The value of the leakage impedance may be calculated using the sampled and resampled values. The measurements may be performed independent of the battery voltage.
(FR)L'invention porte sur un circuit, système, support de stockage lisible par machine et procédé permettant de détecter l'impédance de fuite dans une source de tension. Le procédé consistant à identifier la présence d'un trajet de fuite dans une source de tension flottante à plusieurs cellules peut comprendre la livraison d'un courant à un noeud de la source de tension flottante et l'échantillonnage de la tension de la source de tension flottante à l'aide d'une paire d'amplificateurs connectés en configurations d'inversion. Le procédé peut comprendre l'échantillonnage d'un potentiel de masse de référence à l'aide d'un amplificateur de référence connecté dans une configuration d'inversion. Chacun des amplificateurs peut délivrer en sortie un signal de sortie. Le procédé peut consister à ajuster le courant délivré au noeud de la source de tension flottante et à rééchantillonner la tension de la source de tension flottante et le potentiel de référence de terre. La valeur de l'impédance de fuite peut être calculée à l'aide des valeurs échantillonnées et rééchantillonnées. Les mesures peuvent être effectuées indépendamment de la tension de la batterie.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)