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1. (WO2013126306) RESISTIVE SWITCHING DEVICES AND METHODS OF FORMATION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/126306    International Application No.:    PCT/US2013/026591
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 18.02.2013
IPC:
H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/68 (2006.01), H01L 21/332 (2006.01)
Applicants: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; 1250 Borregas Ave. Sunnyvale, California 94089 (US)
Inventors: GOPALAN, Chakravarthy; (US).
SHIELDS, Jeffrey; (US).
GOPINATH, Venkatesh; (US).
WANG, Janet Siao-Yian; (US).
TSAI, Kuei-Chang; (US)
Agent: CHAKRAVARTHI, Srinivasan; Slater & Matsil, L.L.P. 17950 Preston Road Suite 1000 Dallas, TX 75252 (US)
Priority Data:
61/601,942 22.02.2012 US
13/767,800 14.02.2013 US
Title (EN) RESISTIVE SWITCHING DEVICES AND METHODS OF FORMATION THEREOF
(FR) DISPOSITIFS DE COMMUTATION RÉSISTIFS ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Abstract: front page image
(EN)In accordance with an embodiment of the present invention, a resistive switching device includes an opening disposed within a first dielectric layer 50, a conductive barrier layer 30 disposed on sidewalls of the opening, a fill material 40 including an inert material filling the opening. A solid electrolyte layer 60 is disposed over the opening. The solid electrolyte layer 60 contacts the fill material 40 but not the conductive barrier layer 30. A top electrode 70, 75 is disposed over the solid electrolyte layer 60.
(FR)Selon un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif de commutation résistif comprend une ouverture disposée à l'intérieur d'une première couche diélectrique (50), une couche barrière conductrice (30) disposée sur les parois latérales de l'ouverture, un matériau de remplissage (40) comprenant un matériau inerte remplissant l'ouverture. Une couche d'électrolyte solide (60) est disposée sur l'ouverture. La couche d'électrolyte solide (60) est en contact avec le matériau de remplissage (40) mais pas avec la couche barrière conductrice (30). Une électrode supérieure (70, 75) est disposée sur la couche d'électrolyte solide (60).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)