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1. (WO2013126153) METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTORS USING A COMBINATION OF ELECTRON BEAM AND OPTICAL LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/126153    International Application No.:    PCT/US2013/020611
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 08.01.2013
IPC:
H01L 23/544 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01)
Applicants: RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US)
Inventors: DUVAL, Paul, J.; (US).
TABATABAIE, Kamal; (US).
DAVIS, William, J.; (US)
Agent: MOFFORD, Donald, F.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP 354A Turnpike St., Suite 301A Canton, Massachusetts 02021 (US)
Priority Data:
13/404,245 24.02.2012 US
Title (EN) METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTORS USING A COMBINATION OF ELECTRON BEAM AND OPTICAL LITHOGRAPHY
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SEMICONDUCTEURS FAISANT APPEL À UNE COMBINAISON DE LITHOGRAPHIE OPTIQUE ET DE LITHOGRAPHIE PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS
Abstract: front page image
(EN)Forming an alignment mark on a semiconductor structure using an optical lithography to form a metal alignment mark on a substrate of the structure, using the formed metal alignment mark to form a first feature of a semiconductor device being formed on the substrate using optical lithography, and using the formed metal alignment mark to form a second, different feature for the semiconductor using electron beam lithography. In one embodiment, the first feature is an ohmic contact, the second feature is a Schottky contact, the metal alignment mark is a refractory metal or a refractory metal compound having an atomic weight greater than 60 such as TaN and the semiconductor device is a GaN semiconductor device. A semiconductor structure having a metal alignment mark on a zero layer of the structure, the metal alignment mark is a TaN and the semiconductor is GaN.
(FR)La présente invention concerne la formation d'une marque d'alignement sur une structure à semiconducteur faisant appel à une lithographie optique pour former une marque d'alignement métallique sur un substrat de la structure. La marque d'alignement métallique formée est utilisée pour former une première caractéristique du dispositif semiconducteur formé sur le substrat à l'aide d'une lithographie optique, et la marque d'alignement métallique formée est également utilisée pour former une seconde caractéristique différente du semiconducteur à l'aide d'une lithographie par faisceau d'électrons. Dans un mode de réalisation, la première caractéristique est un contact ohmique, la seconde caractéristique est un contact Schottky, la marque d'alignement métallique est un métal réfractaire ou un composé de métal réfractaire ayant un poids atomique supérieur à 60 tel que le TaN et le dispositif semiconducteur est un dispositif semiconducteur GaN. Pour une structure à semiconducteur ayant une marque d'alignement métallique sur une couche zéro de la structure, la marque d'alignement métallique est TaN et le semiconducteur est GaN.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)