WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013125933) CHALCOGENIDE AS-SE-S ELECTRON BEAM RESIST
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/125933 International Application No.: PCT/LV2013/000004
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 11.02.2013
IPC:
G02B 5/18 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01)
Applicants: DAUGAVPILS UNIVERSITĀTE[LV/LV]; Vienības 13 LV-5401 Dagavpils, LV
Inventors: KOLBJONOKS, Vadims; LV
GERBREDERS, Vjačeslavs; LV
TETERIS, Jānis; LV
Agent: DAUGAVPILS UNIVERSITATE[LV/LV]; Vienības 13 LV-5401 Dagavpils, LV
Priority Data:
P-12-3122.02.2012LV
Title (EN) CHALCOGENIDE AS-SE-S ELECTRON BEAM RESIST
(FR) RÉSINE ÉLECTROSENSIBLE À BASE DE CHALCOGÉNURE AS-SE-S
(RU) ХАЛЬКОГЕНИДНЫЙ AS-SE-S ЭЛЕКТРОННЫЙ РЕЗИСТ
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to methods by which relief images can be produced using an inorganic electron beam resist which is thermally sputtered in a vacuum. The chalcogenide electron beam resist is characterized by a high resolution, a low percentage of defects and a high uniformity of the layer thickness across the entire area of the specimen, and thus compares favourably with organic beam resists.
(FR) L'invention concerne des méthodes selon lesquelles on produit des images en relief en utilisant une résine électrosensible inorganique qui est appliquée par pulvérisation thermique dans le vide. La résine électrosensible à base de chalcogénure est caractérisée par une résolution élevée, un faible pourcentage de défauts, et une régularité élevée de l'épaisseur de la couche sur toute la surface de l'échantillon, ce qui la distingue avantageusement des résines organiques.
(RU) Изобретение относится к методикам, с помощью которых изготавливают рельефные изображения, используя неорганический электронный резист, который напыляется термическим путем в вакууме. Электронный халькогенидный резист характеризуется высокой разрешающей способностью, маленький процент дефектов, высокая равномерность толщины слоя по всей площади образца, чем выгодно отличаются от органических резистов.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)