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1. (WO2013125823) HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/125823    International Application No.:    PCT/KR2013/001259
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 18.02.2013
IPC:
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 425-851 (KR).
MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8251 (JP)
Inventors: KIM, Chang Yeon; (KR).
CHO, Dae Sung; (KR).
NAM, Ki Bum; (KR).
KIM, Young Wug; (KR).
YOU, Jong Kyun; (KR).
SHIMOYAMA, Kenji; (JP).
JOICHI, Takahide; (JP).
KURIHARA, Kaori; (JP)
Agent: AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil Gangnam-gu Seoul 135-935 (KR)
Priority Data:
10-2012-0016999 20.02.2012 KR
10-2013-0016305 15.02.2013 KR
Title (EN) HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À HAUTE EFFICACITÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Disclosed herein are a high efficiency light emitting diode and a method of fabricating the same. The light emitting diode includes a semiconductor stacked structure disposed on the support substrate and including a gallium nitride-based p-type semiconductor layer, a gallium nitride-based active layer, and a gallium nitride-based n-type semiconductor layer; and a reflecting layer disposed between the support substrate and the semiconductor stacked structure, wherein the semiconductor stacked structure includes a plurality of protrusions having a truncated cone shape and fine cones formed on top surfaces of the protrusions. By this configuration, light extraction efficiency of the semiconductor stacked structrue having low dislocation density can be improved.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente à haute efficacité et un procédé de fabrication de celle-ci. La diode électroluminescente comprend une structure empilée de semi-conducteurs disposée sur un substrat de support et comprenant une couche de semi-conducteur du type p à base de nitrure de gallium, une couche active à base de nitrure de gallium, et une couche de semi-conducteur du type n à base de nitrure de gallium; et une couche réfléchissante disposée entre le substrat de support et la structure empilée de semi-conducteur, la structure empilée de semi-conducteurs comprenant une pluralité de saillies ayant une forme tronconique et des cônes fins formés sur les surfaces supérieures des saillies. Par cette configuration, le rendement d'extraction lumineuse de la structure empilée de semi-conducteurs ayant une faible densité de dislocation peut être amélioré.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)