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1. (WO2013125822) GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2013/125822 International Application No.: PCT/KR2013/001258
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 18.02.2013
IPC:
H01L 33/04 (2010.01)
Applicants: SEOUL VIOSYS CO., LTD.[KR/KR]; 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 425-851, KR
MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION[JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8251, JP
Inventors: CHOI, Seung Kyu; KR
KIM, Chae Hon; KR
JUNG, Jung Whan; KR
NAM, Ki Bum; KR
SHIMOYAMA, Kenji; JP
KURIHARA, Kaori; JP
Agent: AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil Gangnam-gu Seoul 135-935, KR
Priority Data:
10-2012-001901124.02.2012KR
Title (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM
Abstract: front page image
(EN) Disclosed herein is a light emitting diode (LED) including: a gallium nitride substrate; a gallium nitride-based first contact layer disposed on the gallium nitride substrate; a gallium nitride-based second contact layer; an active layer having a multi-quantum well structure and disposed between the first and second contact layers; and a super-lattice layer having a multilayer structure and disposed between the first contact layer and the active layer. By employing the gallium nitride substrate, the crystallinity of the semiconductor layers can be improved, and in addition, by disposing the super-lattice layer between the first contact layer and the active layer, a crystal defect that may be generated in the active layer can be prevented.
(FR) La présente invention a trait à une diode électroluminescente qui inclut : un substrat de nitrure de gallium; une première couche de contact à base de nitrure de gallium qui est disposée sur le substrat de nitrure de gallium; une seconde couche de contact à base de nitrure de gallium; une couche active qui est dotée d'une structure de puits quantiques multiples et qui est disposée entre les première et secondes couches de contact; et une couche de super-réseau qui est dotée d'une structure multicouche et qui est disposée entre la première couche de contact et la couche active. Grâce à l'utilisation du substrat de nitrure de gallium, la cristallinité des couches semi-conductrices peut être améliorée et, de plus, en disposant la couche de super-réseau entre la première couche de contact et la couche active, il est possible d'empêcher toute apparition de défaut cristallin qui pourrait être généré dans la couche active.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)