WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2013125596) SIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/125596    International Application No.:    PCT/JP2013/054220
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 20.02.2013
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventors: IMAI, Fumikazu; (JP)
Agent: SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
2012-033772 20.02.2012 JP
Title (EN) SIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU SIC ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) SiC半導体デバイスおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for heating a layer containing nickel and titanium on an SiC substrate (1) to form a nickel silicide layer (4) containing titanium carbide, wherein the layer containing nickel and titanium is formed by vapor deposition or sputtering, and the nickel silicide layer (4) is produced by heating at 1100ºC-1350ºC inclusive. During the process, the rate of temperature increase is 10ºC/minute-1350ºC/minute inclusive, and the hold time for heating is 0-120 minutes inclusive. Through these heating conditions, there can be obtained a backside electrode (8) for an SiC semiconductor device, having uniformity and sufficiently low backside contact resistance.
(FR)La présente invention concerne un procédé de chauffage d'une couche contenant du nickel et du titane sur un substrat de SiC (1) pour former une couche de siliciure de nickel (4) contenant du carbure de titane, la couche contenant du nickel et du titane étant formée par dépôt en phase vapeur ou pulvérisation cathodique, et la couche de siliciure de nickel (4) étant produite par chauffage à 1100 °C à 1350 °C. Pendant le procédé, la vitesse d'augmentation de la température est de 10 °C/minute à 1350 °C/minute, et le temps de maintien pour le chauffage est de 0 à 120 minutes. Dans ces conditions de chauffage, on peut obtenir une électrode arrière (8) pour un dispositif semi-conducteur au SiC, présentant une uniformité et une résistance de contact arrière suffisamment faible.
(JA) SiC基板(1)上のニッケルおよびチタンを含む層を加熱してチタンカーバイドを包含したニッケルシリサイド層(4)を形成する方法において、ニッケルおよびチタンを含む層は蒸着またはスパッタを用いて形成し、ニッケルシリサイド層(4)を1100℃以上1350℃以下の加熱により生成する。その際、昇温速度10℃/分以上1350℃/分以下、加熱保持時間0分以上120分以下で行う。これらの加熱条件により、裏面コンタクト抵抗が十分に低く、かつ均質なSiC半導体デバイス用裏面電極(8)を得ることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)