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1. (WO2013125352) ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/125352    International Application No.:    PCT/JP2013/052748
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 06.02.2013
IPC:
H05B 33/04 (2006.01), H01L 51/42 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Applicants: LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001 (JP)
Inventors: NAGANAWA Satoshi; (JP)
Agent: EMORI Kenji; Excel Shinjuku-Gyoen Building 5F., 11-3, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2012-035105 21.02.2012 JP
Title (EN) ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE
(JA) 有機電子素子および有機電子素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are: an organic electronic element which is provided with a sealing layer that has excellent gas barrier properties, transparency and the like; and a method for efficiently manufacturing the organic electronic element. An organic electronic element, in which a first electrode and a second electrode facing each other with at least one organic functional layer interposed therebetween are provided on a substrate; and a method for manufacturing the organic electronic element. The organic electronic element and the manufacturing method thereof are characterized in that a sealing layer is directly provided along the upper surface and the lateral surface of the organic electronic element and the sealing layer is obtained by implanting plasma ions into a coating film that is mainly composed of a silicon compound.
(FR)La présente invention se rapporte à un élément électronique organique qui est doté d'une couche d'étanchéité présentant d'excellentes propriétés de barrière contre les gaz, transparence et autres ; et à un procédé pour fabriquer efficacement l'élément électronique organique. L'invention concerne un élément électronique organique, dans lequel une première électrode et une seconde électrode tournées l'une vers l'autre, avec au moins une couche fonctionnelle organique intercalée entre elles, sont disposées sur un substrat ; et un procédé de fabrication de l'élément électronique organique. L'élément électronique organique et son procédé de fabrication sont caractérisés en ce qu'une couche d'étanchéité est directement disposée le long de la surface supérieure et de la surface latérale de l'élément électronique organique et la couche d'étanchéité est obtenue par l'implantation d'ions plasma dans un film de revêtement qui se compose principalement d'un composé de silicium.
(JA)ガスバリア性や透明性等に優れた封止層を備えた有機電子素子、およびそのような有機電子素子の効率的な製造方法を提供する。 基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子、およびそのような有機電子素子の製造方法であって、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、かつ、封止層が、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)