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1. (WO2013125309) LIGHT-EMITTING DEVICE, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/125309    International Application No.:    PCT/JP2013/051995
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 30.01.2013
IPC:
H01L 33/30 (2010.01), C23C 16/22 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/22 (2010.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES,LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: FUJII, Kei; (JP).
ISHIZUKA, Takashi; (JP).
AKITA, Katsushi; (JP)
Agent: NAKATA, Motomi; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3, Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka 5540024 (JP)
Priority Data:
2012-034400 20.02.2012 JP
Title (EN) LIGHT-EMITTING DEVICE, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT, TRANCHE ÉPITAXIALE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 発光素子、エピタキシャルウエハおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a light-emitting device and an epitaxial wafer with which it is possible to generate light of sufficiently high intensity using a type 2 MQW Group III-V compound semiconductor. The method is characterized by comprising a step for growing an active layer formed from a type 2 multi-quantum well (MQW) on a group III-V compound semiconductor substrate, wherein by means of the step for forming a type 2 multi-quantum well structure, the type 2 multi-quantum well structure is formed by fully metal organic vapor phase epitaxy, and the number of pairs of the type 2 multi-quantum well structure is 25 or greater.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif électroluminescent et à une tranche épitaxiale permettant de générer de la lumière dotée d'une intensité suffisamment élevée à l'aide d'un semi-conducteur composé de groupe III-V MQW de type 2. Le procédé est caractérisé en ce qu'il comprend une étape consistant à procéder à la croissance d'une couche active qui est constituée d'un puits quantique multiple de type 2 (MQW) sur un substrat de semi-conducteur composé de groupe III-V. Au moyen de l'étape permettant de former une structure de puits quantiques multiples de type 2, la structure de puits quantiques multiples de type 2 est formée par une épitaxie en phase gazeuse organométallique complète, et le nombre de paires de la structure de puits quantiques multiples de type 2 est supérieur ou égal à 25.
(JA)III-V族化合物半導体のタイプ2のMQWを用いて、十分高い強度の光を取り出すことができる、発光素子、エピタキシャルウエハを提供する。この方法は、III-V族化合物半導体基板の上に、タイプ2の多重量子井戸構造(MQW:Multi-Quantum Well)からなる活性層を成長する工程を備え、タイプ2の多重量子井戸構造の形成工程では、全有機金属気相成長法により、タイプ2の多重量子井戸構造を形成し、かつ、タイプ2の多重量子井戸構造のペア数を25以上とすることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)