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1. (WO2013125254) IMPURITY-DIFFUSION-LAYER-FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH IMPURITY-DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/125254    International Application No.:    PCT/JP2013/050307
Publication Date: 29.08.2013 International Filing Date: 10.01.2013
IPC:
H01L 21/225 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventors: IWAMURO, Mitsunori; (JP).
YOSHIDA, Masato; (JP).
NOJIRI, Takeshi; (JP).
MACHII, Yoichi; (JP).
ORITA, Akihiro; (JP).
SATO, Tetsuya; (JP)
Agent: KOBAYASHI, Miki; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg., 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2012-037385 23.02.2012 JP
2012-107517 09.05.2012 JP
2012-239146 30.10.2012 JP
Title (EN) IMPURITY-DIFFUSION-LAYER-FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH IMPURITY-DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE COUCHE DE DIFFUSION D'IMPURETÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'UNE COUCHE DE DIFFUSION D'IMPURETÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an impurity-diffusion-layer-forming composition containing a compound containing a donor element or an acceptor element, a dispersion medium, and a fatty acid amide. The present invention also provides a method for manufacturing a semiconductor substrate with an impurity-diffusion layer having a step for applying the impurity-diffusion-layer-forming composition to form an impurity-diffusion-layer-forming composition layer on all or part of a semiconductor substrate, and a step for performing a heat treatment on the semiconductor substrate on which the impurity-diffusion-layer composition layer has been formed.
(FR)La présente invention a trait à une composition de formation de couche de diffusion d'impureté qui contient un composé contenant un élément donneur ou un élément accepteur, un milieu de dispersion et un amide d'acide gras. La présente invention a également trait à un procédé permettant de fabriquer un substrat semi-conducteur doté d'une couche de diffusion d'impureté, lequel procédé comprend une étape consistant à appliquer la composition de formation de couche de diffusion d'impureté de manière à former une couche de composition de formation de couche de diffusion d'impureté sur l'ensemble ou une partie d'un substrat semi-conducteur, et une étape consistant à effectuer un traitement thermique sur le substrat semi-conducteur sur lequel la couche de composition de formation de couche de diffusion d'impureté a été formée.
(JA) 本発明は、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒、及び脂肪酸アミドと、を含有する不純物拡散層形成組成物を提供する。また本発明は、半導体基板上の全部又は一部に、前記不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層組成物層が形成された半導体基板に熱処理を施す工程と、を有する不純物拡散層付き半導体基板の製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)